Detectores de fase/ tramoyistas Phase Shifter,0.9-1.2GHz,6 bits,500 reel
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MAPS-011021-TR0500
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Acondicionamiento de señales Balun, 1:2, 2-20GHz, 3mm PQFN
MABA-011125
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Atenuadores Attenuator, DC-55 GHz, 5 bits, 3 mm, T&R
MAAD-011048-TR0500
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Amplificador de RF Power Amplifier,20-55 GHz,0.25W,Bare Die
MACOM MAAP-011377-DIE
MAAP-011377-DIE
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Amplificador de RF Power Amplifier,20-55 GHz,0.25W,Bare Die
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Transformadores de audio / Transformadores de señal Transformer, 1:1 RF, 5-1200MHz
MABA-007748-CT1160
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Transformadores de audio / Transformadores de señal 5-10000 MHz
MABA-011108
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Atenuadores DC-2GHz 1 Bit Single 10dB Step
MAATSS0018TR-3000
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<175MHz,50V,150W,CuMollyPkg
MRF151A
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB
MRF177
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Amplificador de RF Amplifier,1-6 GHz, 3mm-16LD QFN ,1K Reel
MAAL-011188-TR1000
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Transformadores de audio / Transformadores de señal Flux Coupled 1:1 Transformer 0.4-500MHz
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MABA-009180-500MHz
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Amplificador de RF DC-15GHz NF 4.5dB Gain 13.5dB GaAs
MAAM-011206-TR3000
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Amplificador de RF Amplifier, 50 kHz-20 GHz, 5mm32 QFN
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MAAL-011181-TR0500
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GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
CGH40006S
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GaN FETs Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz
CGHV35400F1
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Diodos PIN .1-1500MHz 1pF Min Vr 500Vdc
MA4P506-1072T
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Diodos PIN Rs= .9 Ohms Max. -65C +125C
MA4P7452F-1072T
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Amplificador de RF Low Noise Amplifier, 2mm PDFN-8LD
MAAL-011134-TR3000
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937-MAAL-011134-TR3
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Diodos PIN Diode,PIN,Melf
MADP-007417-10720T
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937-MADP00741710720T
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Amplificador de RF MMIC, GaN HEMT,2W, 0.5-3.0GHz, 28V, 3x4
CMPA0530002S
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$ 5.468,61
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941-CMPA0530002S
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Amplificador de RF Amplifier,PA,4W,28-31GHz,0.5K Reel
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MAAP-011317-TR0500
MACOM
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937-011317-TR0500
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Amplificador de RF Amplifier,PA,4W,28-31GHz,0.5K Reel
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Circuitos integrados de interruptores de RF DC-3GHz IL:1.25dB mx -40C to +85C
MASW-007935-TR3000
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937-MASW007935TR3
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Circuitos integrados de interruptores de RF DC-3GHz IL:1.25dB mx -40C to +85C
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GaN FETs GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt
CGHV35400F
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941-CGHV35400F
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GaN FETs GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt
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Diodos PIN Assembly,Diode,PIN,Plastic,CK,LeadFree
MADP-007448-0287FT
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N.º de artículo de Mouser
937-MADP0074480287FT
MACOM
Diodos PIN Assembly,Diode,PIN,Plastic,CK,LeadFree
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB
MRF141G
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$ 26.873,02
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N.º de artículo del Fabricante
MRF141G
N.º de artículo de Mouser
937-MRF141G
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB
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