Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPW60R041P6FKSA1
Infineon Technologies
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TO-247-3

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600 V

77.5 A

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

IPD60R380P6ATMA1
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Enhancement

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IPW60R099P6XKSA1
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IPP60R190P6
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IPW60R190P6
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IPP60R160P6
Infineon Technologies
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Enhancement

CoolMOS

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IPP60R099P6
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IPP60R099P6

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726-IPP60R099P6

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CoolMOS

Tube

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IPD60R600P6ATMA1
Infineon Technologies
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IPD60R600P6ATMA1

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Infineon Technologies

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63 W

Enhancement

CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R099P6
Infineon Technologies
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463En existencias

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IPA60R099P6

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726-IPA60R099P6

Infineon Technologies

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$ 232,40

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N-Channel

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600 V

37.9 A

89 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

70 nC

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+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER PRICE/PERFORM

IPL60R210P6
Infineon Technologies
1: $ 148,17
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IPL60R210P6

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$ 148,17

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$ 74,08

$ 62,18

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

ThinPAK-5

N-Channel

1 Channel

600 V

19.2 A

189 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

37 nC

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IPB60R160P6ATMA1
Infineon Technologies
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2.000Se espera el 2/3/2026

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IPB60R160P6ATMA1

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2.051En existencias

2.000Se espera el 2/3/2026

Cinta cortada

$ 153,90

$ 107,16

$ 77,61

$ 70,56

Envase tipo carrete

$ 58,21

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

176 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 231,96
886En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R099P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P6XKSA1

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886En existencias

$ 231,96

$ 153,90

$ 124,36

$ 110,69

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37.9 A

89 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

70 nC

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+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

IPA60R160P6
Infineon Technologies
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IPA60R160P6

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726-IPA60R160P6

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30En existencias

$ 156,55

$ 101,87

$ 78,05

$ 64,82

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

IPA60R160P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 148,61
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IPA60R160P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P6XKSA1

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$ 148,61

$ 74,97

$ 67,91

$ 55,12

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TO-220-3

N-Channel

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600 V

23.8 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPP60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 251,36
242En existencias

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IPP60R099P6XKSA1

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726-IPP60R099P6XKSA1

Infineon Technologies

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$ 251,36

$ 152,14

$ 142,00

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37.9 A

89 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

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CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R041P6
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1: $ 435,69
62En existencias
240Se espera el 2/4/2026

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IPW60R041P6

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726-IPW60R041P6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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62En existencias

240Se espera el 2/4/2026

$ 435,69

$ 340,88

$ 283,99

$ 252,68

$ 225,34

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TO-247-3

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1 Channel

600 V

77.5 A

37 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

170 nC

- 55 C

+ 150 C

481 W

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 159,64
139En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R125P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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139En existencias

$ 159,64

$ 116,86

$ 103,19

$ 102,75

$ 81,58

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPW60R160P6FKSA1
Infineon Technologies
1: $ 160,96
348En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R160P6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R160P6FKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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$ 160,96

$ 160,08

$ 80,70

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

176 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 191,39
399En existencias
500Se espera el 16/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R125P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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399En existencias

500Se espera el 16/7/2026

$ 191,39

$ 94,81

$ 87,31

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3

IPA60R230P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 119,07
75En existencias
500Se espera el 28/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R230P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R230P6XKSA1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16.8 A

538 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

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CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

IPA60R280P6
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1: $ 116,86
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IPA60R280P6

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726-IPA60R280P6

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13.8 A

252 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

25.5 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

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