Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs

Toshiba Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs is an extensive lineup of Power MOSFETs covering various automotive applications in 12V to 48V battery systems. Toshiba has been in the discrete automotive industry since the 1960s, starting with rectifiers and then Automotive MOSFETs in the 1990s. With performance and reliability, all of Toshiba’s automotive products go above and beyond AEC-Q101 standards.

Resultados: 39
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (UYU) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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42.794En existencias
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Si SMD/SMT TO-220SM-3 P-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 460 nC + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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46.206En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 9.1 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 83 nC + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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25.797En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 103 nC + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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44.992En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 8 A 104 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 19 nC + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
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56.440En existencias
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Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 20 A 23.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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3.402En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 21.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 80 nC + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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19.133En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 10 A 44 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 19 nC + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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4.069En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5.2 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 158 nC + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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16.702En existencias
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Si SMD/SMT DSOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 55 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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14.154En existencias
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Si SMD/SMT SOP-Advance-8 P-Channel 1 Channel 40 V 60 A 4.7 mOhms - 20 V, 10 V 2.1 V 160 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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4.825En existencias
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Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 20 A 7.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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17.458En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 81 nC + 175 C 157 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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6.794En existencias
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Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 107W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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11.310En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 65 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 39 nC + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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3.359En existencias
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Si SMD/SMT DSOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 790 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 85 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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1.831En existencias
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Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 103 nC + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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4.230En existencias
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: 5.000

Si SMD/SMT SOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 55 nC + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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2.510En existencias
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: 5.000

Si SMD/SMT DSOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 100 V 45 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 52 nC + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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2.231En existencias
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 11 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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1.682En existencias
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Min.: 1
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 15 A 13.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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978En existencias
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 9.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 33 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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1.835En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 9.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 28 nC + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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14.927En existencias
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: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 103 nC + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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3.980En existencias
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 50 A 13.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 124 nC + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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13.951En existencias
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: 5.000

Si SMD/SMT SOP-Advance-8 P-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.1 mOhms - 20 V, 10 V 2.1 V 230 nC + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel