Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
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CoolMOS
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1.130 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP
447 En existencias
2.000 Se espera el 23/2/2026
Embalaje alternativo
1
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Si
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP
2.495 En existencias
1
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Si
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 9A DPAK-2
2.236 En existencias
1
$ 97,19
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Ver
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
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Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Infineon Technologies
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NRND
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NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
13.928 En existencias
1
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Si
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N-Channel
1 Channel
600 V
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Enhancement
CoolMOS
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NRND
N.º de artículo de Mouser
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NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2
8.765 En existencias
1
$ 68,82
10
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2.500
$ 16,69
10.000
Ver
1.000
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10.000
$ 16,09
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Min.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
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N-Channel
1 Channel
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1.9 A
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Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
4.737 En existencias
1
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2.500
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Ver
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Min.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
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Enhancement
CoolMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP
IPL60R385CP
Infineon Technologies
1:
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NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R385CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP
2.106 En existencias
1
$ 48,83
10
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100
$ 47,90
1.000
$ 40,50
3.000
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Min.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
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Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP
+1 imagen
IPW50R250CP
Infineon Technologies
1:
$ 139,04
172 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW50R250CP
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP
172 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 139,04
10
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100
$ 86,96
480
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1.200
Ver
1.200
$ 62,31
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$ 57,20
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Min.: 1
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Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
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500 V
13 A
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Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R650CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
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NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R650CEAUMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
2.588 En existencias
1
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10
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$ 16,28
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5.000
Ver
1.000
$ 14,97
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10.000
$ 12,32
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
9.9 A
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Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN60R1K5CEATMA1
Infineon Technologies
1:
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7.857 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K5CEATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
7.857 En existencias
1
$ 35,34
10
$ 21,99
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3.000
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Ver
1.000
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$ 6,37
Comprar
Min.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
600 V
5 A
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2.5 V
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CoolMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.9A DPAK-2
IPD80R1K4CEATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 83,70
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NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K4CEATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.9A DPAK-2
1.780 En existencias
1
$ 83,70
10
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100
$ 35,71
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5.000
Ver
1.000
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$ 21,06
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$ 20,74
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
3.9 A
1.4 Ohms
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Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
IPP60R165CP
Infineon Technologies
1:
$ 219,95
375 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R165CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
375 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 219,95
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Ver
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Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
21 A
150 mOhms
- 20 V, 20 V
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+ 150 C
192 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
IPP60R165CPXKSA1
Infineon Technologies
1:
$ 185,07
585 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R165CPXKSA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
585 En existencias
Embalaje alternativo
1
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