75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications. These modules are available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These Infineon MOSFETs are ideal for fuel injection systems, in-vehicle wireless charging applications, and the C02 emission-reducing 48V power subsystem known as Board Net.

Resultados: 64
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (UYU) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
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14.656En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 91 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
Hoja de datos
36.885En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 75 V 30 A 15.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 72 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V
Hoja de datos
8.335En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 50 A 11.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 30 nC - 55 C + 175 C 72 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
Hoja de datos
10.379En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 90 A 5.8 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 98 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
Hoja de datos
18.036En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 75 V 30 A 20.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 56 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
Hoja de datos
3.861En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 90 A 6.6 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 75 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V
Hoja de datos
3.202En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 90 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
Hoja de datos
2.500En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 70 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 66 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V
Hoja de datos
1.309En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 167 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
6.045En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 200 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 110 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
Hoja de datos
13.742En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 31 mOhms, 31 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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4.612En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 16 A 61 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 7 nC - 55 C + 175 C 29 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
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24.518En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 29 mOhms, 29 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 17.4 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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6.984En existencias
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Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 67 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
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1.304En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 75 V 30 A 17.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 57 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
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2.369En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 75 V 30 A 17.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 57 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V
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2.346En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 90 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
Hoja de datos
2.884En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 70 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 60 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T
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980En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 20.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 39 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
4.978En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 45 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 17.4 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(
Hoja de datos
972En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 165 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 90 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
4.857En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 20 mOhms, 20 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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3.650En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT PG-HSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 80 V 350 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 138 nC - 55 C + 175 C 307 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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3.999En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT PG-HSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 100 V 310 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 142 nC - 55 C + 175 C 325 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T
Hoja de datos
3.244En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 30 A 31 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 24 nC - 55 C + 175 C 57 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel