NVMx & NVTx Power MOSFETs

onsemi NVMx and NVTx Power MOSFETs are AEC−Q101 Qualified and offer compact and efficient solutions for automotive applications. NVMx and NVTx Power MOSFETs offer Low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG and Capacitance to minimize driver losses. These onsemi single N-Channel MOSFETs are housed in a compact, SO-8FL, and WDFN8 packages and are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS Compliant.

Resultados: 40
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (UYU) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms
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6.924En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 225 A 1.65 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 62 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL
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2.812En existencias
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Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 313 A 870 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL WF
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1.399En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 109 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 27 nC - 55 C + 175 C 114 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG
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6.926En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 34 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL
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2.029En existencias
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Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 224 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41 nC - 55 C + 150 C 166 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO
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4.427En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 930 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A
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760En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 34 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN
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1.405En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO
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2.644En existencias
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Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 288 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 80 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
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1.465En existencias
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Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 225 A 1.65 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 62 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET
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5.901En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 930 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL
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25.263En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 109 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 27 nC - 55 C + 175 C 114 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V
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1.657En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 250 A 1.13 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 3.8 W, 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL
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2.805En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 51 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 16 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO
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29En existencias
6.000En pedido
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Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 60 V 288 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 80 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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1.326En existencias
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Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 25 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 5.7 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET
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1.247En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 370 A 520 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 181 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN
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2.180En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 237 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 93 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET
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1.158En existencias
3.000Se espera el 2/3/2026
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 930 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN
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3.256En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 133 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40.7 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL
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3.648En existencias
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Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 316 A 870 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF
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3.267En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 85 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO
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427En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS
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593En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 25 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 5.7 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET
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61En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 370 A 520 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 181 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel