Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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SMD/SMT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB65R190C7ATMA2
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726-IPB65R190C7ATMA2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1.290 En existencias
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SMD/SMT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7
IPD65R225C7
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N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R225C7
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
11 A
225 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel