OptiMOS™ 5 75V-100V Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V Automotive MOSFETs are designed for high-performance applications and feature an extended qualification that goes beyond AEC-Q101 standards. The N-channel enhancement mode device combines a robust design with advanced technology, integrating Linear FET (LINFET) and low RDS(on) FET (ONFET) characteristics into a single package. This dual-gate configuration provides dedicated gate pins for each MOSFET, enhancing flexibility and control in circuit design. The Linear FET boasts an improved Safe Operating Area (SOA) and superior paralleling capabilities, ensuring reliable linear operation under varying conditions. The Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V MOSFETs operate within a wide -55°C to +175°C temperature range and are available in a PG-HSOF-8-2 package. 

Resultados: 58
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (UYU) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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6.476En existencias
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Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 100 V 250 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 128 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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6.515En existencias
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 20 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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18.526En existencias
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 30 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 45.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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6.045En existencias
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Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 200 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 110 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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1.617En existencias
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 81 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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6.984En existencias
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Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 67 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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3.353En existencias
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Si SMD/SMT HDSOP-16-2 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 178 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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2.503En existencias
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 210 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 91 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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990En existencias
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Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 200 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 110 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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3.900En existencias
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Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 240 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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898En existencias
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 170 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 67 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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2.370En existencias
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 220 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 81 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(
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972En existencias
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Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 165 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 90 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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2.460En existencias
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Si OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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4.120En existencias
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Si OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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3.650En existencias
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Si SMD/SMT PG-HSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 80 V 350 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 138 nC - 55 C + 175 C 307 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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3.989En existencias
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Si SMD/SMT PG-HSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 100 V 310 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 142 nC - 55 C + 175 C 325 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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2.875En existencias
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Si SMD/SMT PG-HSOF-8-2 N-Channel 2 Channel 80 V 410 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 178 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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8.387En existencias
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Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 100 V 300 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 166 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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4.997En existencias
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Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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4.950En existencias
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Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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9.333En existencias
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Si SMD/SMT TSDSON-8-33 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 17 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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2.128En existencias
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Carrete: 1.800
Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 410 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 178 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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1.504En existencias
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Carrete: 2.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 250 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 96 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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8.377En existencias
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel