Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V
DMP6180SK3Q-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
60 V
14 A
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- 20 V, 20 V
1.2 V
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- 55 C
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40 W
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AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V
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DMP3098LQ-7
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
P-Channel
1 Channel
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3.8 A
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- 20 V, 20 V
2.1 V
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Enhancement
AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs Complmtry Enh FET
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DMG6602SVTQ-7
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Si
SMD/SMT
TSOT-26-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
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Enhancement
AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-CH Enhance Mode
DMP4025SFGQ-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-CH Enhance Mode
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Si
SMD/SMT
PowerDI3333-8
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1 Channel
40 V
7.2 A
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AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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DMC4050SSDQ-13
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Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel, P-Channel
2 Channel
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5.8 A
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Enhancement
AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A
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DMP10H400SEQ-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A
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Si
SMD/SMT
SOT-223-3
P-Channel
1 Channel
100 V
2.3 A
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Enhancement
AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS
DMP2240UWQ-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS
20.465 En existencias
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-323-3
P-Channel
1 Channel
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1.5 A
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1 V
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Enhancement
AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch Enh 7.5Ohm 5V Vgs 0.23A
2N7002DWQ-7-F
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch Enh 7.5Ohm 5V Vgs 0.23A
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
60 V
230 mA
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Enhancement
AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
DMC1030UFDBQ-7
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N.º de artículo de Mouser 621-DMC1030UFDBQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
22.567 En existencias
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Detalles
Si
SMD/SMT
DFN-2020-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
12 V
5.1 A, 3.9 A
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400 mV, 1 V
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Enhancement
AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60
DMPH6050SK3Q-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60
8.129 En existencias
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
60 V
23.6 A
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- 20 V, 20 V
3 V
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- 55 C
+ 175 C
1.9 W
Enhancement
AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
DMG1012TQ-7
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Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
79.361 En existencias
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-523-3
N-Channel
1 Channel
20 V
630 mA
400 mOhms
- 6 V, 6 V
500 mV
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- 55 C
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Enhancement
AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
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DMN61D8LQ-7
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Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
60 V
470 mA
1.8 Ohms
- 5 V, 5 V
1.3 V
740 pC
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+ 150 C
610 mW
Enhancement
AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -40V 11mOhm 25Vgss 1.45W -10.1A
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DMP4015SSSQ-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -40V 11mOhm 25Vgss 1.45W -10.1A
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
P-Channel
1 Channel
40 V
10.1 A
15 mOhms
- 25 V, 25 V
1.5 V
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- 55 C
+ 150 C
1.82 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
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DMN61D8LVTQ-7
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N.º de artículo de Mouser 621-DMN61D8LVTQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
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Si
SMD/SMT
TSOT-26-6
N-Channel
2 Channel
60 V
630 mA
1.1 Ohms
- 12 V, 12 V
1.3 V
740 pC
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Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
DMP4010SK3Q-13
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N.º de artículo de Mouser 621-DMP4010SK3Q-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
1.043 En existencias
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1
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
50 A
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- 25 V, 25 V
2.5 V
91 nC
- 55 C
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3.3 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-CH Enhance Mode
DMP4025SFGQ-7
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N.º de artículo de Mouser 621-DMP4025SFGQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-CH Enhance Mode
2.731 En existencias
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Detalles
Si
SMD/SMT
PowerDI3333-8
P-Channel
1 Channel
40 V
7.2 A
25 mOhms
- 20 V, 20 V
800 mV
33.7 nC
- 55 C
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810 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family
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2N7002AQ-7
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family
34.694 En existencias
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
60 V
220 mA
6 Ohms
- 20 V, 20 V
1.2 V
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+ 150 C
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Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family
2N7002TQ-7-F
Diodes Incorporated
1:
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N.º de artículo de Mouser 621-2N7002TQ-7-F
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family
6.907 En existencias
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-523-3
N-Channel
1 Channel
60 V
115 mA
13.5 Ohms
- 20 V, 20 V
1 V
- 55 C
+ 150 C
150 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
BSS123WQ-7-F
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N.º de artículo de Mouser 621-BSS123WQ-7-F
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
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10
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100
$ 3,81
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$ 3,21
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6.000
$ 1,91
9.000
$ 1,77
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-323-3
N-Channel
1 Channel
100 V
170 mA
6 Ohms
- 20 V, 20 V
2 V
- 55 C
+ 150 C
200 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family
+2 imágenes
BSS138DWQ-7
Diodes Incorporated
1:
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4.356 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 621-BSS138DWQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family
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5.230 Se espera el 22/4/2026
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Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
50 V
200 mA
3.5 Ohms
- 20 V, 20 V
500 mV
- 50 C
+ 150 C
200 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family
BSS84Q-7-F
Diodes Incorporated
1:
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N.º de artículo de Mouser 621-BSS84Q-7-F
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family
11.622 En existencias
1
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
P-Channel
1 Channel
50 V
130 mA
10 Ohms
- 20 V, 20 V
2 V
280 pC
- 55 C
+ 150 C
300 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
DMG1013UWQ-7
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser 621-DMG1013UWQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
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Si
SMD/SMT
SOT-323-3
P-Channel
1 Channel
20 V
820 mA
1.5 Ohms
- 6 V, 6 V
1 V
622.4 pC
- 55 C
+ 150 C
310 mW
Enhancement
AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp Pair Enh FET 20Vdss 6Vgss
DMG1016VQ-7
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser 621-DMG1016VQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp Pair Enh FET 20Vdss 6Vgss
2.875 En existencias
3.000 Se espera el 18/3/2026
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Si
SMD/SMT
SOT-563-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
20 V
870 mA, 640 mA
400 mOhms, 700 mOhms
- 6 V, 6 V
500 mV, 1 V
736.6 pC, 622.4 pC
- 55 C
+ 150 C
530 mW
Enhancement
AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
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DMG2305UXQ-7
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser 621-DMG2305UXQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
834 En existencias
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
P-Channel
1 Channel
20 V
4.2 A
52 mOhms
- 8 V, 8 V
500 mV
10.2 nC
- 55 C
+ 150 C
1.4 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enhancement Mode
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DMG2307LQ-7
Diodes Incorporated
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6.000 Se espera el 27/3/2026
N.º de artículo de Mouser 621-DMG2307LQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enhancement Mode
1.860 En existencias
6.000 Se espera el 27/3/2026
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
P-Channel
1 Channel
30 V
3.8 A
90 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
8.2 nC
- 55 C
+ 150 C
1.36 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Uruguay