Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3

STL8N10F7
STMicroelectronics
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STL8N10F7

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511-STL8N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3

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$ 23,13

$ 22,11

Envase tipo carrete

$ 22,11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate

STL60N10F7
STMicroelectronics
1: $ 92,52
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STL60N10F7

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511-STL60N10F7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate

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$ 39,69

$ 31,46

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Envase tipo carrete

$ 29,42

MouseReel Disponible

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: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

100 V

12 A

16.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P

STL125N8F7AG
STMicroelectronics
1: $ 157,75
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STL125N8F7AG

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511-STL125N8F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P

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Cinta cortada

$ 157,75

$ 102,70

$ 70,78

$ 59,22

Envase tipo carrete

$ 46,26

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: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII

STF100N10F7
STMicroelectronics
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STF100N10F7

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511-STF100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII

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$ 74,02

$ 57,36

$ 46,72

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

45 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII

STL30N10F7
STMicroelectronics
1: $ 76,79
5.205En existencias

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STL30N10F7

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511-STL30N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII

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$ 76,79

$ 45,52

$ 31,50

$ 25,54

Envase tipo carrete

$ 17,58

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

100 V

8 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

4.8 W

Enhancement

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII

STP110N10F7
STMicroelectronics
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STP110N10F7

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511-STP110N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII

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$ 161,45

$ 80,50

$ 67,08

$ 58,29

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac

STH240N10F7-6
STMicroelectronics
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STH240N10F7-6

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511-STH240N10F7-6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac

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$ 231,31

$ 147,58

$ 108,72

$ 98,54

Envase tipo carrete

$ 89,29

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Min.: 1
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: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET

STH310N10F7-6
STMicroelectronics
1: $ 322,44
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STH310N10F7-6

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511-STH310N10F7-6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET

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Cinta cortada

$ 322,44

$ 216,97

$ 157,29

$ 148,04

Envase tipo carrete

$ 139,71

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: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 4.2 mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a

STP150N10F7AG
STMicroelectronics
1: $ 209,57
1.032En existencias

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STP150N10F7AG

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511-STP150N10F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 4.2 mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a

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$ 209,57

$ 125,83

$ 98,54

$ 85,12

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

117 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

AEC-Q100

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET i

STL140N4F7AG
STMicroelectronics
1: $ 103,16
5.757En existencias

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STL140N4F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL140N4F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET i

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5.757En existencias

Cinta cortada

$ 103,16

$ 66,15

$ 44,69

$ 35,58

$ 32,61

Envase tipo carrete

$ 29,79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac

STH240N10F7-2
STMicroelectronics
1: $ 244,72
940En existencias

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STH240N10F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH240N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac

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940En existencias

Cinta cortada

$ 244,72

$ 160,07

$ 119,36

$ 100,39

Envase tipo carrete

$ 81,88

$ 75,41

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII

STH270N8F7-6
STMicroelectronics
1: $ 253,98
1.715En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH270N8F7-6

N.º de artículo de Mouser
511-STH270N8F7-6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII

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1.715En existencias

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$ 253,98

$ 169,32

$ 120,74

$ 107,79

Envase tipo carrete

$ 92,99

$ 87,43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

193 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3

STL4N10F7
STMicroelectronics
1: $ 49,04
280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL4N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL4N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3

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280En existencias

Cinta cortada

$ 49,04

$ 30,21

$ 19,89

$ 14,90

Envase tipo carrete

$ 11,57

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

N-Channel

1 Channel

100 V

4.5 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.9 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2

STL3N10F7
STMicroelectronics
1: $ 40,71
7.410En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL3N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL3N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2

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Hoja de datos

7.410En existencias

Cinta cortada

$ 40,71

$ 25,21

$ 16,33

$ 12,49

Envase tipo carrete

$ 9,53

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-2x2-6

N-Channel

1 Channel

100 V

4 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.4 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A

STP140N8F7
STMicroelectronics
1: $ 152,20
1.322En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP140N8F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP140N8F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A

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1.322En existencias

$ 152,20

$ 75,87

$ 66,15

$ 55,51

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET

STO450N6F7
STMicroelectronics
1: $ 312,27
1.770En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STO450N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STO450N6F7

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET

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Hoja de datos

1.770En existencias

Cinta cortada

$ 312,27

$ 209,57

$ 151,74

$ 141,56

$ 133,70

Envase tipo carrete

$ 133,70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.800

SMD/SMT

TO-LL-8

N-Channel

1 Channel

60 V

545 A

850 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

300 nC

- 55 C

+ 175 C

454 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET

STL160N6LF7
STMicroelectronics
1: $ 103,63
719En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STL160N6LF7

N.º de artículo de Mouser
511-STL160N6LF7

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET

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Hoja de datos

719En existencias

Cinta cortada

$ 103,63

$ 66,62

$ 44,92

$ 35,76

Envase tipo carrete

$ 29,01

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI

STH310N10F7-2
STMicroelectronics
1: $ 290,52
6.525En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH310N10F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH310N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI

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Hoja de datos

6.525En existencias

Cinta cortada

$ 290,52

$ 192,45

$ 140,64

$ 128,15

Envase tipo carrete

$ 110,10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120

STD100N10F7
STMicroelectronics
1: $ 145,26
8.098En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD100N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STD100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120

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Hoja de datos

8.098En existencias

Cinta cortada

$ 145,26

$ 86,97

$ 63,38

$ 52,74

Envase tipo carrete

$ 44,09

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

120 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 100V 0027 Ohm typ 25 A Pwr MOSFET

STD25N10F7
STMicroelectronics
1: $ 72,63
5.874En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD25N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STD25N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 100V 0027 Ohm typ 25 A Pwr MOSFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 100V 0013 Ohm typ 45 A Pwr MOSFET

STD45N10F7
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STD45N10F7

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511-STD45N10F7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 100V 0013 Ohm typ 45 A Pwr MOSFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 70A STripFET VII

STD80N10F7
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STD80N10F7

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511-STD80N10F7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 70A STripFET VII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

STH275N8F7-2AG
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STH275N8F7-2AG

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511-STH275N8F7-2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

STH275N8F7-6AG
STMicroelectronics
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STH275N8F7-6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH275N8F7-6AG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

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TO-263-7

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80 V

180 A

1.7 mOhms

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2.5 V

193 nC

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315 W

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AEC-Q101

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

STH315N10F7-6
STMicroelectronics
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N.º de artículo del Fabricante
STH315N10F7-6

N.º de artículo de Mouser
511-STH315N10F7-6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

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TO-263-7

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3.5 V

180 nC

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STripFET™ F7 Power MOSFETs

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145 A
180 A
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2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
3.2 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms
3.9 mOhms
4 mOhms
4.2 mOhms
4.3 mOhms
4.5 mOhms
6 mOhms
6.8 mOhms
7 mOhms
7.3 mOhms
8 mOhms
10 mOhms

2.4 W
2.9 W
4.8 W
5 W
30 W
40 W
50 W
60 W
85 W
100 W
111 W
120 W
135 W
150 W
166 W
167 W
200 W
250 W
300 W
315 W