Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

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Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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SQJ465EP-T1_GE3
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SQJ952EP-T1_GE3
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AEC-Q101

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SQJ411EP-T1_GE3
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SQJ840EP-T1_GE3
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AEC-Q101

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1.5 V

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SQJ457EP-T1_GE3
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SQJ457EP-T1_GE3

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78-SQJ457EP-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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