Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Panjit 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs feature low R_DS(ON) and high-switching speed. These MOSFETs consist of low reverse transfer capacitance and green molding compounds as per IEC 61249 standard. The 100V enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. These MOSFETs are 100% UIS / Rg tested. Typical applications include a PD charger, adapter, lighting, home appliance, and DC-DC converter.

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Resultados: 30

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4476AP-AU_R2_000A1
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PJQ4476AP-AU_R2_000A1

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N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

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62 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3470_R1_00001
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1 Channel

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1.3 A

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3474S-AU_R1_007A1
Panjit
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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3474S_R1_00701
Panjit
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SOT-23-3

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1 Channel

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- 20 V, 20 V

3 V

4.4 nC

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution

PSMQC042N10LS2_R2_00201
Panjit
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PSMQC042N10LS2_R2_00201

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 65W solution

PSMQC078N10LS2_R2_00201
Panjit
1: $ 73,47
5.239En existencias

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PSMQC078N10LS2_R2_00201

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241-PSMQC078N10LS2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 65W solution

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$ 73,47

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$ 31,11

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$ 28,37

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 45W solution

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Panjit
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PSMQC098N10LS2_R2_00201

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241-PSMQC098N10LS2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 45W solution

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$ 25,11

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 28m ohms Excellect low FOM MOSFET for Headlight solution

PSMQC280N10LS2_R2_00201
Panjit
1: $ 56,73
7.853En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC280N10LS2_R2_00201

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241-PSMQC280N10LS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 28m ohms Excellect low FOM MOSFET for Headlight solution

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$ 56,73

$ 35,53

$ 23,39

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$ 14,93

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+ 175 C

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application

PSMQC074N10NS2_R2_00201
Panjit
1: $ 106,02
1.610En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC074N10NS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC074N10NS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application

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$ 106,02

$ 67,89

$ 46,04

$ 38,36

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$ 31,90

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+ 175 C

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

BSS123_R1_00001
Panjit
1: $ 8,84
1.438En existencias
9.000Se espera el 18/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSS123_R1_00001

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241-BSS123_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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9.000Se espera el 18/2/2026

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$ 8,84

$ 5,30

$ 3,30

$ 2,42

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$ 1,49

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SOT-23-3

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100 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3471_R1_00001
Panjit
1: $ 22,32
13.695En existencias
9.000Se espera el 18/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
PJA3471_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3471_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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13.695En existencias

9.000Se espera el 18/5/2026

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$ 22,32

$ 13,62

$ 8,65

$ 6,46

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$ 4,84

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SMD/SMT

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P-Channel

1 Channel

100 V

900 mA

650 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJA3476_R1_00001
Panjit
1: $ 13,49
3.216En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3476_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3476_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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$ 13,49

$ 8,09

$ 5,07

$ 3,77

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$ 2,74

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

300 mA

9 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.8 nC

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500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, N-Channel 350mW, 9Ohms, SOT-323-3

PJC7476_R1_00001
Panjit
1: $ 17,67
8.167En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJC7476_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJC7476_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, N-Channel 350mW, 9Ohms, SOT-323-3

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8.167En existencias

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$ 17,67

$ 10,60

$ 6,65

$ 4,98

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$ 3,67

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SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

100 V

300 mA

9 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

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350 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD25N10A_L2_00001
Panjit
1: $ 45,57
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N.º de artículo del Fabricante
PJD25N10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD25N10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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1.726En existencias

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$ 45,57

$ 29,76

$ 20,09

$ 15,76

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$ 12,37

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SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

100 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

PJD9N10A_L2_00001
Panjit
1: $ 33,02
2.720En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD9N10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD9N10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

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$ 33,02

$ 20,60

$ 13,25

$ 10,09

Envase tipo carrete

$ 7,72

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD50N10AL-AU_L2_000A1
Panjit
1: $ 57,20
1.980En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PJD50N10AL-AU_L2_000A1

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241-PJD50N10ALAUL200

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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$ 23,62

Envase tipo carrete

$ 18,83

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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

100 V

42 A

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83 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

BSS123_R2_00001
Panjit
12.000: $ 1,53
Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas

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BSS123_R2_00001

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241-BSS123_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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100 V

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJA3476_R2_00001
Panjit
12.000: $ 2,46
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

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PJA3476_R2_00001

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241-PJA3476_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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$ 2,46

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1 Channel

100 V

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJC7476_R2_00001
Panjit
12.000: $ 3,91
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

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PJC7476_R2_00001

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241-PJC7476_R2_00001

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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$ 3,91

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SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

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100 V

300 mA

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

PJD10P10A_L2_00001
Panjit
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N.º de artículo del Fabricante
PJD10P10A_L2_00001

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241-PJD10P10AL200001

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

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100 V

10 A

230 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

PJD13N10A_L2_00001
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SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

PJD14P10A_L2_00001
Panjit
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PJD14P10A_L2_00001

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Mult.: 1

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SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

100 V

14 A

- 20 V, 20 V

3 V

40.7 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD50N10AL_L2_00001
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SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

100 V

42 A

28.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

PJD6N10A_L2_00001
Panjit
1: $ 33,48
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PJD6N10A_L2_00001

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241-PJD6N10AL200001

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

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Envase tipo carrete

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PSMN015N10NS2_R2_00201
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PSMN015N10NS2_R2_00201

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241-PSMN015N10NS2R22

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Carrete: 2.000

N-Channel

100 V

395 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

128 nC

Reel

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