Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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40V N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 40V N-Channel Power MOSFETs are designed to operate on PerFET™ power transistor technology and operate at 40V Drain Source Voltage (V_DS). These MOSFETs feature ultra-low on-resistance and wettable flank leads for enhanced AOI. The N-Channel Power MOSFETs are halogen-free, RoHS compliant, and 100% UIS and Rg tested. Typical applications of N-channel power MOSFETs include DC-DC converters, load switches, solenoids, and motor drivers.

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Resultados: 44

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Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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TSM076NH04DCR RLG
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TSM076NH04LDCR RLG
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Envase tipo carrete

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40 V

34 A

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- 55 C

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55.6 W

Enhancement

PerFET

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TSM070NH04CV RGG
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PDFN56U-8

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- 20 V, 20 V

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$ 49,39

$ 34,53

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1 Channel

40 V

54 A

- 16 V, 16 V

2.2 V

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Enhancement

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TSM025NH04LCR RLG
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N-Channel

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40 V

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136 W

Enhancement

PerFET

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TSM056NH04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
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TSM056NH04LCR RLG

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$ 82,90

$ 52,92

$ 35,63

$ 28,22

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$ 25,67

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SMD/SMT

PDFN56U-8

N-Channel

1 Channel

40 V

54 A

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- 16 V, 16 V

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14.2 nC

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+ 175 C

78.9 W

Enhancement

PerFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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TSM056NH04CR RLG
Taiwan Semiconductor
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TSM056NH04CR RLG

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821-TSM056NH04CRRLG

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$ 82,90

$ 52,92

$ 35,63

$ 28,22

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$ 25,67

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SMD/SMT

PDFN56U-8

N-Channel

1 Channel

40 V

54 A

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78.9 W

Enhancement

PerFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM070NH04CR RLG
Taiwan Semiconductor
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TSM070NH04CR RLG

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821-TSM070NH04CRRLG

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2.496En existencias

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$ 71,44

$ 45,42

$ 30,30

$ 23,86

Envase tipo carrete

$ 19,18

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SMD/SMT

PDFN56U-8

N-Channel

1 Channel

40 V

54 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

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Enhancement

PerFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 52A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM145NH08CR RLG
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TQM145NH08CR RLG

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821-TQM145NH08CRRLG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 52A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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$ 88,64

$ 56,89

$ 39,16

$ 33,21

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$ 24,39

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SMD/SMT

PDFN56U

N-Channel

1 Channel

80 V

52 A

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3.6 V

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Enhancement

AEC-Q101

PerFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 34A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM240NH10CR RLG
Taiwan Semiconductor
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TQM240NH10CR RLG

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821-TQM240NH10CRRLG

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Cinta cortada

$ 78,94

$ 50,27

$ 33,29

$ 27,30

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$ 20,99

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SMD/SMT

PDFN56U

N-Channel

1 Channel

100 V

34 A

24 mOhms

20 V

3.6 V

6 nC

- 55 C

+ 175 C

63 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

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TQM019NH04CR-V RLG
Taiwan Semiconductor
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TQM019NH04CR-V RLG

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821-TQM019NH04CRVRLG

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$ 332,06

$ 247,83

$ 200,65

$ 178,16

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Envase tipo carrete

$ 149,93

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SMD/SMT

PDFN-56

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM019NH04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: $ 154,34
4.972En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM019NH04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM019NH04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

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Cinta cortada

$ 154,34

$ 108,92

$ 76,29

$ 67,47

$ 64,82

Envase tipo carrete

$ 54,68

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SMD/SMT

PDFN56U-8

N-Channel

1 Channel

40 V

214 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM025NH04CR RLG
Taiwan Semiconductor
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4.980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM025NH04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM025NH04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

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Cinta cortada

$ 118,62

$ 82,90

$ 58,65

$ 48,51

$ 46,74

Envase tipo carrete

$ 39,51

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Carrete: 2.500

SMD/SMT

PDFN56U-8

N-Channel

1 Channel

40 V

174 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

42 nC

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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

PerFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM025NH04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
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5.000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM025NH04LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM025NH04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

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5.000En existencias

Cinta cortada

$ 105,84

$ 78,94

$ 58,65

$ 48,51

$ 46,30

Envase tipo carrete

$ 39,51

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SMD/SMT

PDFN56U

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

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- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

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