5 transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia OptiMOS™

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using a new silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) as well as motor control, solar micro inverters and fast switching DC/DC converter applications.
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Resultados: 84
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (UYU) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
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58.896En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 95 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 75 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
4.782En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 21 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 49 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
4.366En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 100 V 13 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 43 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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65.912En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 133 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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3.872En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 174 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
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5.069En existencias
Min.: 1
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: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V 253 A 850 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 64 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
Hoja de datos
3.597En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 40 A 960 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 92 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
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1.478En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 248 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 89 nC - 55 C + 175 C 313 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
4.073En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 39 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
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5.096En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 34 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
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2.955En existencias
Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT TSON-12 N-Channel 1 Channel 60 V 510 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 190 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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4.082En existencias
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: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 150 V 148 A 6.32 Ohms - 10 V, 10 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
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3.509En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 60 V 233 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
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3.719En existencias
Min.: 1
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: 5.000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
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7.279En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 170 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 77 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
Hoja de datos
3.755En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 3.23 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 47 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
1.444En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 60 V 427 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 171 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
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817En existencias
Min.: 1
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: 1.800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 60 V 311 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 106 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
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1.317En existencias
3.600Se espera el 28/1/2027
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Min.: 1
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: 1.800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 100 V 365 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 211 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
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3.005En existencias
Min.: 1
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: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 323 A 1.57 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
4.343En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 100 V 273 A 2.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 107 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
Hoja de datos
4.477En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 25 V 789 A 290 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 88 nC - 55 C + 150 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
5.165En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 447 A 860 uOhms - 10 V, 10 V 1.1 V 76 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
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6.744En existencias
6.000Se espera el 15/4/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 25 V 47 A 580 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 82 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
Hoja de datos
5.875En existencias
2.800Se espera el 18/5/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000
Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 47 A 580 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 82 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel