Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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50V Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low drain-source on-state resistance [R_DS(ON)]. Each device is ESD-protected up to a 2KV human-body model. For design flexibility, these devices are available in six packages (SOT-363, SOT-563, SC-89, SOT-523, SOT-23, and SOT-323). All PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 and have a Green molding compound as per the IEC 61249 standard.

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Resultados: 29

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Polaridad del transistor

Número de canales

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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1 Channel

50 V

360 mA

1.6 Ohms

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1.5 V

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236 mW

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PJT7838_R1_00001
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SOT-363-6

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2 Channel

50 V

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Enhancement

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PJX8603_R1_00001
Panjit
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PJX8838_R1_00001
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SOT-563-6

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6 Ohms

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AEC-Q101

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SOT-23-3

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50 V

500 mA

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500 mW

Enhancement

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SOT-23-3

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1 Channel

50 V

500 mA

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AEC-Q101

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

50 V

500 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

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- 55 C

+ 150 C

500 mW

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

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4.5 Ohms

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350 mA

4.5 Ohms

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N-Channel

2 Channel

50 V

350 mA

4.5 Ohms

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1.5 V

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