U-MOSIV MOSFETs

Toshiba U-MOSIV MOSFETs are offered in logic-level gate drive, low-voltage gate drive, and 10V gate drive variants in N-channel and P-channel polarity. The U-MOSIV MOSFETs offer low drain-source ON-resistance and low leakage current. These devices are offered in through-hole and surface mount packages and are ideal for motor driver, DC-DC converter, and switching voltage regulator applications.

Resultados: 12
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (UYU) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 PD=1.96W F=1MHZ
1.836En existencias
Cinta cortada
$ 80,50
$ 38,17
$ 34,05
$ 26,79
Envase tipo carrete
$ 22,44
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: 3.000
Si SMD/SMT PS-8 N-Channel 1 Channel 40 V 5 A 31.8 mOhms 20 V 2 V 11.8 nC - 55 C + 175 C 1.96 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 MOQ=3000 V=-40 PD=2.01W F=1MHZ
6.091En existencias
9.000Se espera el 14/12/2026
Cinta cortada
$ 64,77
$ 40,06
$ 26,42
$ 20,73
Envase tipo carrete
$ 16,05
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Min.: 1
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: 3.000
Si SMD/SMT PS-8 P-Channel 1 Channel 40 V 8 A 18 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 44.6 nC - 55 C + 175 C 2.01 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=6.0A, RDS(ON)=0.0415Ohm @ 4.5V, in UFM package
3.109En existencias
Cinta cortada
$ 37,47
$ 17,07
$ 15,04
$ 13,79
Envase tipo carrete
$ 8,79
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: 3.000
Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 27.6 mOhms 20 V 2.5 V 10.1 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
5.636En existencias
Cinta cortada
$ 25,91
$ 11,61
$ 10,18
$ 7,63
Envase tipo carrete
$ 5,74
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: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 38 V 2 A 280 mOhms 20 V 1.4 V 2.5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4.4A VDSS=30V
2.900En existencias
Cinta cortada
$ 44,87
$ 31,97
$ 19,89
$ 13,74
Envase tipo carrete
$ 9,02
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT UF-6 N-Channel 1 Channel 30 V 4.4 A 25 mOhms 20 V 1.3 V 12.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz 2.866En existencias
32.000Se espera el 4/12/2026
Cinta cortada
$ 13,42
$ 5,92
$ 5,18
$ 3,79
Envase tipo carrete
$ 2,64
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Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 60 V 200 mA 2.1 Ohms 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008
1.090En existencias
Cinta cortada
$ 123,98
$ 61,07
$ 54,59
$ 43,76
Envase tipo carrete
$ 41,54
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Min.: 1
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: 2.000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 60 A 8 mOhms 20 V 2 V 60 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet
14.968Se espera el 8/1/2027
Cinta cortada
$ 35,16
$ 15,78
$ 13,88
$ 10,46
Envase tipo carrete
$ 7,96
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 107 mOhms 20 V 2.8 V 7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
9.890En pedido
Cinta cortada
$ 37,93
$ 23,45
$ 15,13
$ 11,52
Envase tipo carrete
$ 8,88
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 38 V 2 A 150 mOhms 20 V 700 mV 3 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 8A 60V 25W 400pF 0.054
6.000En pedido
Cinta cortada
$ 97,61
$ 61,07
$ 40,20
$ 31,92
$ 28,36
Envase tipo carrete
$ 24,33
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 8 A 54 mOhms 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 25 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
No en existencias
Cinta cortada
$ 34,70
$ 15,64
$ 13,74
$ 10,46
Envase tipo carrete
$ 10,41
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 34 V 2 A 240 mOhms 20 V 700 mV + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 35A 40V 58W 1370pF 0.0103
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Envase tipo carrete
$ 27,90
$ 27,25
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 35 A 10.3 mOhms 58 W AEC-Q100 U-MOSIV Reel