Resultados: 10
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (UYU) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance 3.936En existencias
Cinta cortada
$ 123,52
$ 60,60
$ 54,59
$ 43,58
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Envase tipo carrete
$ 38,12
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 166 A 2.05 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance 4.704En existencias
Cinta cortada
$ 135,08
$ 67,08
$ 60,14
$ 48,57
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Envase tipo carrete
$ 37,43
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000
Si SMD/SMT WTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 166 A 2.05 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V 33.793En existencias
Cinta cortada
$ 98,08
$ 50,89
$ 45,29
$ 36,04
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Envase tipo carrete
$ 30,30
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.1 mOhms 20 V 2.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V 28.297En existencias
5.000Se espera el 3/12/2026
Cinta cortada
$ 95,76
$ 45,85
$ 40,99
$ 32,43
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Envase tipo carrete
$ 24,84
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.8 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V 203En existencias
30.000Se espera el 8/4/2027
Cinta cortada
$ 113,80
$ 61,07
$ 49,50
$ 39,60
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Envase tipo carrete
$ 33,17
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5.000
: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1 mOhms 20 V 1.3 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V 738En existencias
50.000En pedido
Cinta cortada
$ 50,43
$ 30,63
$ 21,56
$ 15,54
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Envase tipo carrete
$ 9,67
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 59 A 5.9 mOhms 20 V 1.3 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
38.763En pedido
Cinta cortada
$ 219,74
$ 143,87
$ 107,33
$ 89,75
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Envase tipo carrete
$ 78,18
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 381 A 700 uOhms 20 V 1.3 V 94 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
339.761En pedido
Cinta cortada
$ 73,56
$ 34,42
$ 30,63
$ 23,96
Envase tipo carrete
$ 18,87
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 7.000
: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.2 mOhms 20 V 1.3 V 28 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
159.714En pedido
Cinta cortada
$ 58,29
$ 28,68
$ 23,78
$ 18,55
$ 18,32
Envase tipo carrete
$ 13,92
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 7 mOhms 20 V 2.3 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
14.976En pedido
Cinta cortada
$ 94,37
$ 45,38
$ 40,62
$ 35,71
$ 33,17
Envase tipo carrete
$ 27,20
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.4 mOhms 20 V 2.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel