2 GHz Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (UYU) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Mini-Circuits Amplificador de RF SMT Gain Block, DC - 2000 MHz, 50ohm
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30G/TO270/REEL
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34En existencias
100Se espera el 21/7/2026
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Skyworks Solutions, Inc. Extremo frontal RF 2GHz FEM TX/RX Gain 32/12dB 2.995En existencias
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: 3.000

Analog Devices Amplificador de RF Dual Programmable Filters and VGAs for 2 GHz Channel Spacing for ?W Radios
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491En existencias
1Se espera el 17/7/2026
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Qorvo Extremo frontal RF 2.4GHz Wi-Fi 7 Medium Power Non Linear F 2.472En existencias
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: 2.500

Analog Devices Amplificador de RF 0DC Driver
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1.319En existencias
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: 1.500

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100/TO270/REEL
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178En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100/TO270/REEL
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594En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10G/TO270/REEL
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860En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10/TO270/REEL
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121En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30G/TO270/REEL
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732En existencias
2.000Se espera el 26/10/2026
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30/TO270/REEL
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408En existencias
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onsemi Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN RF Transistor
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24.170En existencias
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Máx.: 3.000
: 3.000

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100G/TO270/REEL
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50En existencias
100Se espera el 21/9/2026
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30G/TO270/REEL
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42En existencias
200Se espera el 19/10/2026
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70/TO270/REEL
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59En existencias
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Infineon Technologies Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR
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1.154En existencias
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: 3.000

Analog Devices Amplificador de RF Dual Programmable Filters and VGAs for 2 GHz Channel Spacing for ?W Radios
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1.211Se espera el 25/12/2026
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: 1.500

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100G/TO270/REEL
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500Se espera el 9/9/2026
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30/TO270/REEL
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200En pedido
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70G/TO270/REEL
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300Se espera el 20/8/2026
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Analog Devices Receptor de RF 100/200MHz Dual Band Div.IF Rec 204B
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Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
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Analog Devices Receptor de RF 100/200MHz Dual Band Div.IF Rec 204B
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Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10G/TO270/REEL
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10/TO270/REEL
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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: 500