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PMDXB550UNEZ

Name: Nexperia PMDXB550UNEZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB550UNEZ
Price: 23.37 UYU
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

771-PMDXB550UNEZ

Fabricante N.º:

PMDXB550UNEZ

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1216 2NCH 30V .59A

Hoja de datos:

PMDXB550UNEZ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Plazo de entrega de fábrica:: 8

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$ -,--

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$ -,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$ 260,00)

Precio (UYU)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$ 23,37	$ 23,37
	$ 14,20	$ 142,00
	$ 9,08	$ 908,00
	$ 6,79	$ 3.395,00
	$ 5,51	$ 5.510,00
	$ 5,47	$ 13.675,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	$ 4,76	$ 23.800,00
	$ 4,19	$ 41.900,00
	$ 4,15	$ 103.750,00

† $ 260,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-1010-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	590 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	670 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	450 mV
Qg - Carga de puerta:	1.05 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	4.03 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	600 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	7 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	12 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4 ns
Alias de las piezas n.º:	934069326147
Peso de la unidad:	1,290 mg

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TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

PMDXB550UNE Dual N-Channel MOSFET

Nexperia PMDXB550UNE Dual N-Channel MOSFET is a surface mount device that offers a low threshold voltage. This 30V enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) features exposed drain pad for an excellent thermal conduction and ESD protection. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits. The PMDXB550UNE MOSFET is designed using Trench MOSFET technology and is available in a leadless ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) plastic package.

PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.