Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Single P-Channel Power MOSFETs

onsemi Single P-Channel Power MOSFETs offer a small footprint for compact designs, low R_DS(on) to minimize conduction losses, and low Q_G and capacitance to minimize driver losses. onsemi Single P-Channel Power MOSFETs are lead−free and are suitable for automotive and other applications requiring AEC−Q101 qualified site and change controls.

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Resultados: 6

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH

NVTFS5116PLWFTWG
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10.000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5116PLWFTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5116PLWFTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH

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Cinta cortada

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Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

WDFN-8

P-Channel

1 Channel

60 V

14 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

21 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single P-Channel 60V,14A,52mohm

NVTFS5116PLTAG
onsemi
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NVTFS5116PLTAG

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863-NVTFS5116PLTAG

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$ 36,03

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$ 16,14

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Mult.: 1

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SMD/SMT

WDFN-8

P-Channel

1 Channel

60 V

14 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

21 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

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NVTFS5116PLWFTAG
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NVTFS5116PLWFTAG

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863-NVTFS5116PLWFTAG

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$ 38,89

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SMD/SMT

WDFN-8

P-Channel

1 Channel

60 V

14 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

21 W

Enhancement

AEC-Q101

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NVTFS5116PLTWG
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NVTFS5116PLTWG

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863-NVTFS5116PLTWG

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Carrete: 5.000

SMD/SMT

WDFN-8

P-Channel

1 Channel

60 V

14 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

21 W

Enhancement

AEC-Q100

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET SO8FL -30V 2MO

NTMFS002P03P8ZT1G
onsemi
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449En existencias
4.500Se espera el 24/4/2026

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NTMFS002P03P8ZT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS002P03P8ZT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET SO8FL -30V 2MO

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449En existencias

4.500Se espera el 24/4/2026

Cinta cortada

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

SO-8FL

P-Channel

1 Channel

30 V

263 A

1.4 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

217 nC

- 55 C

+ 150 C

138.9 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 60V 20A 25MOHM

NVTFS5826NLWFTWG-UM
onsemi
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5.000Se espera el 31/3/2027
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NVTFS5826NLWFTWG-UM

N.º de artículo de Mouser
863-TFS5826NLWFTWGUM

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 60V 20A 25MOHM

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Cinta cortada

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$ 43,44

$ 28,97

$ 22,75

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SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

20 A

24 mOhms

20 V

2.5 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

22 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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