BUK9Mx & BUK9Yx Automotive ASFETs for Airbags

Nexperia BUK9Mx and BUK9Yx Automotive ASFETs for Airbag Applications provide space-saving efficiency (53% for LFPAK56, 84% for LFPAK33) compared to standard DPAK packages. The AEC-Q101 qualified ASFETs offer reliability in airbag deployment conditions. These Application-Specific MOSFETS (ASFETs) address the specialized needs of airbag applications, focused on enhanced safe operating area (SOA) performance for improved linear mode.

Resultados: 7
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (UYU) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 110A
Hoja de datos
7.159En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 110 A 5.6 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 125A
Hoja de datos
1.219En existencias
1.500Se espera el 23/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 125 A 4.5 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 109 nC - 55 C + 175 C 238.4 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 40A
Hoja de datos
1.733En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 13 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 40 nC - 55 C + 175 C 79.4 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 35A
Hoja de datos
23En existencias
1.500Se espera el 1/6/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 35 A 21 mOhms - 10 V, 10 V 2.05 V 12.8 nC - 55 C + 175 C 70.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 20A
Hoja de datos
2.125En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 44 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 14 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 90A
Hoja de datos
1.297En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 7.9 mOhms 58 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 50A
Hoja de datos
1.420Se espera el 1/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 15 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 34 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape