MOSFETs de SiC – Mouser Uruguay

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650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R057M1HXTMA1
Infineon Technologies
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3.980En existencias

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IMBG65R057M1HXTMA1

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726-IMBG65R057M1HXTM

Infineon Technologies

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Cinta cortada

$ 351,02

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Envase tipo carrete

$ 171,98

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

74 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

161 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R260M1HXTMA1
Infineon Technologies
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865En existencias

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IMBG65R260M1HXTMA1

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726-IMBG65R260M1HXTM

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Cinta cortada

$ 189,62

$ 125,24

$ 88,64

$ 80,70

Envase tipo carrete

$ 75,41

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

6 A

346 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R163M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 219,61
739En existencias

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IMBG65R163M1HXTMA1

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726-IMBG65R163M1HXTM

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$ 145,97

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Envase tipo carrete

$ 91,72

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

217 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

85 W

Enhancement

CoolSiC

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IMBG65R022M1HXTMA1
Infineon Technologies
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783En existencias

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$ 715,27

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$ 435,25

MouseReel Disponible

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N-Channel

1 Channel

650 V

64 A

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300 W

Enhancement

CoolSiC

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IMBG65R083M1HXTMA1
Infineon Technologies
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466En existencias

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466En existencias

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$ 281,79

$ 207,70

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Envase tipo carrete

$ 137,15

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

111 mOhms

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5.7 V

44 nC

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+ 175 C

126 W

Enhancement

CoolSiC

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IMBG65R030M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 510,66
1.477En existencias

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$ 510,66

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$ 281,35

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SMD/SMT

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1 Channel

650 V

63 A

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5.7 V

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234 W

Enhancement

CoolSiC

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IMZA65R107M1HXKSA1
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444En existencias

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$ 223,14

$ 162,28

$ 135,82

$ 134,94

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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R039M1HXTMA1
Infineon Technologies
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692En existencias

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Min.: 1
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1 Channel

650 V

54 A

51 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

41 nC

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211 W

Enhancement

CoolSiC

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IMBG65R107M1HXTMA1
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$ 257,09

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$ 132,29

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$ 123,47

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N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

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- 5 V, + 23 V

5.7 V

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+ 175 C

110 W

Enhancement

CoolSiC

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IMBG65R048M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 382,77
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$ 382,77

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1 Channel

650 V

45 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

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- 55 C

+ 175 C

183 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R072M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 318,39
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IMBG65R072M1HXTMA1

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

94 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

140 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 571,95
222En existencias
720Se espera el 23/7/2026

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IMZA65R027M1HXKSA1

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222En existencias

720Se espera el 23/7/2026

$ 571,95

$ 347,05

$ 339,12

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

59 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

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+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

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IMZA65R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 492,14
254En existencias

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IMZA65R030M1HXKSA1

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254En existencias

$ 492,14

$ 317,51

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

53 A

42 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

48 nC

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+ 175 C

197 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 402,62
302En existencias

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IMZA65R048M1HXKSA1

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726-IMZA65R048M1HXKS

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302En existencias

$ 402,62

$ 236,81

$ 214,32

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 561,37
335En existencias

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IMW65R027M1HXKSA1

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$ 561,37

$ 340,00

$ 331,18

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 517,71
1En existencias
240Se espera el 2/3/2026

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IMW65R030M1HXKSA1

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726-IMW65R030M1HXKSA

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240Se espera el 2/3/2026

$ 517,71

$ 311,77

$ 298,10

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

42 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

48 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R057M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 301,19
81En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R057M1HXKSA1

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726-IMW65R057M1HXKSA

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81En existencias

$ 301,19

$ 203,73

$ 178,16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

74 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

133 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 317,95
194En existencias

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IMW65R072M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R072M1HXKSA

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194En existencias

$ 317,95

$ 183,89

$ 156,99

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

26 A

94 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R083M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 272,09
80En existencias
240Se espera el 12/3/2026

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IMW65R083M1HXKSA1

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726-IMW65R083M1HXKSA

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80En existencias

240Se espera el 12/3/2026

$ 272,09

$ 171,10

$ 143,76

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

111 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 279,58
141En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R107M1HXKSA1

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726-IMW65R107M1HXKSA

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$ 279,58

$ 160,08

$ 133,62

$ 129,21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R039M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 384,98
135En existencias

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IMZA65R039M1HXKSA1

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726-IMZA65R039M1HXKS

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135En existencias

$ 384,98

$ 251,80

$ 230,63

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

50 A

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- 5 V, + 23 V

5.7 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R057M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 343,52
132En existencias

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IMZA65R057M1HXKSA1

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726-IMZA65R057M1HXKS

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132En existencias

$ 343,52

$ 209,03

$ 183,89

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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

74 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

133 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R039M1HXKSA1
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480En existencias

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IMW65R039M1HXKSA1

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480En existencias

$ 397,77

$ 247,39

$ 225,78

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

50 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R048M1HXKSA1
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IMW65R048M1HXKSA1

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726-IMW65R048M1HXKSA

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480Se espera el 16/6/2026

$ 394,24

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N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

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+ 150 C

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Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R072M1HXKSA1
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Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas

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Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas

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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

94 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

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CoolSiC

650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

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