ASFET para avalancha repetitiva

Los ASFET para avalancha repetitiva de Nexperia ofrecen un voltaje máximo de drenaje a fuente de 40 VDS a 60 VDS, rango de corriente de drenaje de 16 ID a 40 ID y carga de puerta a drenaje de 7.9 GD. Los ASFET cuentan con completa calificación automotriz para AEC-Q101 y ofrecen alta solidez, confiabilidad y tecnología de paquete clip de cobre LFPAK. Los ASFET para avalancha repetitiva de Nexperia son ideales para sistemas automotrices de 12 V, 24 V y 48 V, topologías de avalancha repetitiva y aplicaciones de control de motores.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (UYU) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K61-100L/SOT1205/LFPAK56D
Hoja de datos
1.375En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 60V 40A
Hoja de datos
1.305En existencias
3.000Se espera el 8/2/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-1205-8 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 12.5 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 22.4 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 60V 16A
Hoja de datos
1.158En existencias
1.500Se espera el 11/5/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 16 A 55 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 5.6 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 40V 18.2A
Hoja de datos
1.429Se espera el 8/2/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-1205-8 N-Channel 2 Channel 40 V 18.2 A 29 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 6.3 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 60V 22A
Hoja de datos
2.790Se espera el 8/2/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 22 A 35 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 7.8 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel