Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

GAN041-650WSBQ

Name: Nexperia GAN041-650WSBQ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GAN041-650WSBQ
Price: 533.82 UYU
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

771-GAN041-650WSBQ

Fabricante N.º:

GAN041-650WSBQ

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

GaN FETs SOT247 650V 47.2A N-CH MOSFET

Hoja de datos:

GAN041-650WSBQ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Nexperia GAN041-650WSBQ

En existencias: 349

Existencias:: 349 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 4 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$ -,--

Precio ext.:

$ -,--

Est. Tarifa:

Precio (UYU)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$ 533,82	$ 533,82
	$ 419,43	$ 4.194,30
	$ 393,39	$ 19.669,50
	$ 386,88	$ 38.688,00
	$ 328,76	$ 65.752,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 30)
	$ 419,43	$ 12.582,90

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	SOT-429-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	47.2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	41 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	22 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	187 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	10 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Alias de las piezas n.º:	934661752127
Peso de la unidad:	123 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

GaN FETs for Industrial Applications

Nexperia GaN FETs for Industrial Applications offer efficient power use and efficiencies in power conversion and control. For some applications, power conversion efficiency and power density are critical for market adoption. Prime examples include high-voltage communications and industrial infrastructure sectors. GaN FETs enable smaller, faster, cooler, lighter systems, with lower overall system costs.

FET de nitruro de galio (GaN) GAN041-650WSB

El FET de nitruro de galio (GaN) GAN041-650WSB de Nexperia ofrece un voltaje de drenaje de fuente de 650 V, una corriente de drenaje nominal de 47.2 A y una resistencia máxima de 41 m Ω. El GAN041 se presenta en un encapsulado TO-247 y es un dispositivo normalmente apagado que combina la tecnología HEMT H2 de GaN de alto voltaje y las tecnologías MOSFET de silicio de bajo voltaje. La combinación de estas tecnologías ofrece confiabilidad y rendimiento superiores. El FET GaN GAN041-650WSB de Nexperia es ideal para PFC de tótem sin puente, accionamientos de servomotores y convertidores de conmutación dura y suave para alimentación industrial y de comunicaciones de datos.