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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (UYU) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Paquete / Cubierta
Estilo de montaje
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Máximo voltaje puerta-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado

onsemi IGBTs 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT
Hoja de datos
476En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 80 A 600 W - 55 C + 175 C FGHL40T120RWD Tube

onsemi IGBTs 1200V, 60A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT
Hoja de datos
367En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 120 A 833 W - 55 C + 175 C FGHL60T120RWD Tube
onsemi IGBTs 1200V, 40A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT Fast Switching
Hoja de datos
465En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.68 V 30 V 70 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL40T120SWD Tube

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 40 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode
Hoja de datos
392En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 60 A 273 W - 55 C + 175 C FGHL40T65LQDT Tube

onsemi IGBTs 650V FS4 Trench IGBT
Hoja de datos
188En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 100 A 268 W - 55 C + 175 C FGH50T65SQD Tube

onsemi IGBTs 650V/35A FAST IGBT FSII T
Hoja de datos
36En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 70 A 300 W - 55 C + 175 C NGTB35N65FL2 Tube

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 50 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode
Hoja de datos
450Se espera el 19/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDTL4 Tube