Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
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IPD50R950CEAUMA1

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726-IPD50R950CEAUMA1

Infineon Technologies

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SMD/SMT

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1 Channel

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6.6 A

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- 20 V, 20 V

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53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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- 20 V, 20 V

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119 W

Enhancement

CoolMOS

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IPD50R380CEAUMA1
Infineon Technologies
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$ 29,11

$ 23,39

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Envase tipo carrete

$ 16,69

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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500 V

14.1 A

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- 20 V, 20 V

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+ 150 C

98 W

Enhancement

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IPD50R500CEAUMA1
Infineon Technologies
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Enhancement

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IPD50R650CEAUMA1
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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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9 A

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3 V

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Enhancement

CoolMOS

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IPA50R800CE
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TO-220-3

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1 Channel

500 V

7.6 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

12.4 nC

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+ 150 C

26.4 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA50R800CEXKSA2
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500 V

7.6 A

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2.5 V

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26.4 W

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Tube

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IPN50R1K4CEATMA1
Infineon Technologies
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IPN50R1K4CEATMA1

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SOT-223-3

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IPN50R2K0CEATMA1
Infineon Technologies
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IPN50R2K0CEATMA1

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SOT-223-3

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2.4 A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

IPP50R190CE
Infineon Technologies
1: $ 96,72
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IPP50R190CE

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726-IPP50R190CE

Infineon Technologies

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TO-220-3

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1 Channel

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- 20 V, 20 V

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47.2 nC

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152 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

IPP50R190CEXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 118,11
793En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R190CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CEXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

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$ 58,13

$ 52,55

$ 42,87

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TO-220-3

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500 V

24.8 A

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152 W

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 32.4A TO220-3

IPP50R380CE
Infineon Technologies
1: $ 54,87
684En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IPP50R380CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R380CE

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 32.4A TO220-3

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684En existencias

$ 54,87

$ 38,46

$ 29,95

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TO-220-3

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500 V

14.1 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

24.8 nC

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+ 150 C

98 W

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IPA50R280CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $ 83,70
1.393En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R280CEXKSA2

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726-IPA50R280CEXKSA2

Infineon Technologies

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1.393En existencias

$ 83,70

$ 37,53

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

18.1 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

32.6 nC

- 40 C

+ 150 C

30.4 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R380CE
Infineon Technologies
1: $ 73,47
918En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R380CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R380CE

Infineon Technologies

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918En existencias

$ 73,47

$ 46,50

$ 31,02

$ 25,39

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14.1 A

340 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

24.8 nC

- 40 C

+ 150 C

29.2 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R380CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $ 75,33
935En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R380CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R380CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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935En existencias

$ 75,33

$ 40,59

$ 32,50

$ 25,90

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14.1 A

340 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

24.8 nC

- 40 C

+ 150 C

29.2 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R500CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $ 66,03
952En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R500CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R500CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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952En existencias

$ 66,03

$ 31,20

$ 27,76

$ 21,72

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Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

11.1 A

1.17 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

18.7 nC

- 40 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R950CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $ 53,48
1.048En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R950CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R950CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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1.048En existencias

$ 53,48

$ 24,97

$ 22,13

$ 18,46

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

550 V

6.6 A

2.22 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

25.7 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R2K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1: $ 25,11
338En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R2K0CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R2K0CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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338En existencias

Cinta cortada

$ 25,11

$ 14,46

$ 13,86

$ 10,23

Envase tipo carrete

$ 7,86

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

3.6 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R3K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1: $ 20,46
1.475En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R3K0CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R3K0CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

1.475En existencias

Cinta cortada

$ 20,46

$ 14,23

$ 8,97

$ 8,93

Envase tipo carrete

$ 6,93

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

2.6 A

3 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 32.4A TO220-3

IPP50R380CEXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 69,75
198En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R380CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R380CEXKSA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 32.4A TO220-3

Hoja de datos

198En existencias

$ 69,75

$ 33,11

$ 30,78

$ 24,09

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Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14.1 A

350 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

24.8 nC

- 55 C

+ 150 C

98 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R190CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $ 118,58
888Se espera el 9/4/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R190CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R190CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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888Se espera el 9/4/2026

$ 118,58

$ 53,01

$ 52,08

$ 43,38

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Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

47.2 nC

- 40 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

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