CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high-temperature and harsh environment operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (UYU) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
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651En existencias
MouseReel Disponible
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
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959En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
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603En existencias
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MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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663En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel


Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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1.301En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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1.007En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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416En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
176En existencias
240Se espera el 26/2/2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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294En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
1.180En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
1.004En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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872En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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164En existencias
720En pedido
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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255En existencias
240Se espera el 13/8/2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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422En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
68En existencias
240Se espera el 16/2/2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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78En existencias
960En pedido
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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159En existencias
240Se espera el 12/2/2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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80En existencias
480Se espera el 5/8/2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
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421En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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201En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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2.878En pedido
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
446Se espera el 16/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel