Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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IPDD60R125G7XTMA1
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726-IPDD60R050G7XTM1
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2.000 Se espera el 11/2/2027
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R050G7XTMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
32 En existencias
2.000 Se espera el 11/2/2027
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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NRND
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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IPDD60R102G7XTMA1
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Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
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726-IPDD60R102G7XTM1
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Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
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Mult.: 1.700
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SMD/SMT
HDSOP-10
N-Channel
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600 V
23 A
102 mOhms
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34 nC
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Reel