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GS66502B-TR

Name: Infineon GS66502B-TR
Brand: Infineon Technologies
SKU: 499-GS66502B-TR
Price: 556.96 UYU
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

499-GS66502B-TR

Fabricante N.º:

GS66502B-TR

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

GaN FETs 650V, 7.5A, Bottom-Side Cooled E-mode GaN Transistor

Hoja de datos:

GS66502B-TR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$ 260,00)

Precio (UYU)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$ 556,96	$ 556,96
	$ 453,33	$ 4.533,30
	$ 377,92	$ 37.792,00
	$ 336,91	$ 168.455,00
	$ 323,24	$ 323.240,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$ 274,29	$ 822.870,00

† $ 260,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	HEMT
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	7.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	260 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 7 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.6 V
Qg - Carga de puerta:	1.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	GaNPX
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Kit de desarrollo:	GS665MB-EVB
Frecuencia de trabajo máxima:	10 MHz
Frecuencia de trabajo mínima:	0 Hz
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	GS665xx
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	E-Mode

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

GS665xx Enhancement-Mode Silicon Power Transistors

Infineon Technologies GS665xx Enhancement-Mode High Electron Mobility Transistors (E-HEMT) feature high current, high voltage breakdown, and high switching frequency. These power transistors include Island Technology cell layout with high-current die and high yield, and GaNPX^® small packaging enables low inductance and low thermal resistance. These power transistors offer very low junction-to-case thermal resistance for high-power applications. The GS665xx enhancement-mode silicon power transistors are available as bottom-sided or top-sided cooled transistors. These power transistors provide ultra-low FOM die, reverse current capability, and zero reverse recovery loss.