Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ065N03LSATMA1
Infineon Technologies
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BSZ065N03LSATMA1

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726-BSZ065N03LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

49 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE008N03LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $ 124,36
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$ 55,56

$ 45,86

$ 42,51

Envase tipo carrete

$ 42,51

Min.: 1
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Carrete: 5.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

30 V

253 A

850 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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BSZ009NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
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Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

40 A

960 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

92 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IQDH29NE2LM5CGATMA1
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$ 74,53

Min.: 1
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Carrete: 5.000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

25 V

789 A

290 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

88 nC

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+ 150 C

333 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IQE006NE2LM5CGSCATMA1
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Envase tipo carrete

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6.000

SMD/SMT

WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

25 V

47 A

580 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

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IQE006NE2LM5SCATMA1
Infineon Technologies
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$ 83,79

$ 57,77

$ 48,07

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$ 44,54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6.000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

47 A

580 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

82 nC

- 55 C

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2.1 W

Enhancement

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IQDH35N03LM5CGATMA1
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5.000Se espera el 9/3/2026

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5.000Se espera el 9/3/2026

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$ 77,61

$ 74,97

$ 73,64

Envase tipo carrete

$ 73,64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TTFN-9

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1 Channel

30 V

700 A

350 uOhms

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2 V

91 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

OptiMOS

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BSC011N03LSATMA1
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$ 27,78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

230 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

OptiMOS

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BSC0504NSIATMA1
Infineon Technologies
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BSC0504NSIATMA1

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$ 14,68

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

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TDSON-8

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1 Channel

30 V

72 A

3.7 mOhms

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1.2 V

11.1 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

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BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
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BSC0901NSATMA1

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726-BSC0901NSATMA1

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$ 23,42

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Envase tipo carrete

$ 14,51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

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BSZ019N03LSATMA1
Infineon Technologies
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BSZ019N03LSATMA1

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726-BSZ019N03LSATMA1

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$ 25,71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

149 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

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BSZ0506NSATMA1
Infineon Technologies
1: $ 54,68
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5.000Se espera el 8/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0506NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0506NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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13.719En existencias

5.000Se espera el 8/10/2026

Cinta cortada

$ 54,68

$ 31,62

$ 22,05

$ 17,60

$ 14,60

Envase tipo carrete

$ 13,63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ0904NSIATMA1
Infineon Technologies
1: $ 48,07
19.840En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0904NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0904NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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19.840En existencias

Cinta cortada

$ 48,07

$ 29,94

$ 19,62

$ 15,17

$ 12,57

Envase tipo carrete

$ 11,38

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE008N03LM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 127,44
5.123En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE008N03LM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE008N03LM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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5.123En existencias

Cinta cortada

$ 127,44

$ 82,46

$ 58,65

$ 49,39

$ 46,74

Envase tipo carrete

$ 42,51

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

30 V

253 A

850 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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