Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs

Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs are designed to operate in switching power supplies. These N-channel MOSFETs feature high-speed switching properties with lower capacitance. The Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs silicon MOSFETs offer a typical 0.092Ω to 0.175Ω low drain-source on-resistance. These devices feature a drain-source voltage of 10V.

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Resultados: 7

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI

TK125V65Z,LQ
Toshiba
1: $ 312,02
7.281En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK125V65Z,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK125V65ZLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI

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Hoja de datos

7.281En existencias

Cinta cortada

$ 312,02

$ 210,65

$ 156,24

$ 155,78

Envase tipo carrete

$ 126,95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI

TK170V65Z,LQ
Toshiba
1: $ 218,09
4.720En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK170V65Z,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK170V65ZLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI

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Hoja de datos

4.720En existencias

Cinta cortada

$ 218,09

$ 147,41

$ 119,97

$ 116,72

$ 106,02

Envase tipo carrete

$ 92,07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

TK110N65Z,S1F
Toshiba
1: $ 349,22
432En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK110N65Z,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK110N65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

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Hoja de datos

432En existencias

$ 349,22

$ 202,74

$ 202,28

$ 152,52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

110 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 155mOhms DTMOS-VI

TK155A65Z,S4X
Toshiba
1: $ 216,69
76En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK155A65Z,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK155A65ZS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 155mOhms DTMOS-VI

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Hoja de datos

76En existencias

$ 216,69

$ 113,46

$ 100,91

$ 85,10

$ 81,38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

155 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI

TK190A65Z,S4X
Toshiba
1: $ 195,30
96En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK190A65Z,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK190A65ZS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI

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Hoja de datos

96En existencias

$ 195,30

$ 100,44

$ 88,35

$ 74,40

$ 69,75

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

TK110A65Z,S4X
Toshiba
1: $ 272,03
Plazo de entrega 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK110A65Z,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK110A65ZS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

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Hoja de datos

Plazo de entrega 20 Semanas

$ 272,03

$ 144,62

$ 130,20

$ 109,74

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

110 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI

TK210V65Z,LQ
Toshiba
2.500: $ 81,84
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK210V65Z,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK210V65ZLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

$ 81,84

Min.: 2.500
Mult.: 2.500

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

210 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

Reel

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