Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs

Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs are designed to operate in switching power supplies. These N-channel MOSFETs feature high-speed switching properties with lower capacitance. The Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs silicon MOSFETs offer a typical 0.092Ω to 0.175Ω low drain-source on-resistance. These devices feature a drain-source voltage of 10V.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 7

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI

TK125V65Z,LQ
Toshiba
1: $ 295,90
7.281En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK125V65Z,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK125V65ZLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI

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Hoja de datos

7.281En existencias

Cinta cortada

$ 295,90

$ 199,76

$ 148,17

$ 147,73

Envase tipo carrete

$ 120,39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI

TK170V65Z,LQ
Toshiba
1: $ 206,82
4.720En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK170V65Z,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK170V65ZLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI

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Hoja de datos

4.720En existencias

Cinta cortada

$ 206,82

$ 139,79

$ 113,77

$ 110,69

$ 100,54

Envase tipo carrete

$ 87,31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

TK110N65Z,S1F
Toshiba
1: $ 331,18
432En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK110N65Z,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK110N65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

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Hoja de datos

432En existencias

$ 331,18

$ 192,27

$ 191,83

$ 144,64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

110 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 155mOhms DTMOS-VI

TK155A65Z,S4X
Toshiba
1: $ 205,50
76En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK155A65Z,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK155A65ZS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 155mOhms DTMOS-VI

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Hoja de datos

76En existencias

$ 205,50

$ 107,60

$ 95,69

$ 80,70

$ 77,17

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

155 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI

TK190A65Z,S4X
Toshiba
1: $ 185,21
96En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK190A65Z,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK190A65ZS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI

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Hoja de datos

96En existencias

$ 185,21

$ 95,25

$ 83,79

$ 70,56

$ 66,15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

TK110A65Z,S4X
Toshiba
1: $ 257,97
Plazo de entrega 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK110A65Z,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK110A65ZS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

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Hoja de datos

Plazo de entrega 20 Semanas

$ 257,97

$ 137,15

$ 123,47

$ 104,07

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

110 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI

TK210V65Z,LQ
Toshiba
2.500: $ 77,61
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK210V65Z,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK210V65ZLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

$ 77,61

Min.: 2.500
Mult.: 2.500

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

210 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

Reel

650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs

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