Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
IPB020N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 135,32
636 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IPB020N03LF2SATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
636 En existencias
1
$ 135,32
10
$ 87,42
100
$ 60,45
500
$ 56,73
800
$ 41,52
2.400
Ver
2.400
$ 40,78
24.800
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-3
N-Channel
1 Channel
30 V
122 A
2.05 mOhms
- 20 V, 20 V
2.35 V
33 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
IPB018N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 136,71
624 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IPB018N03LF2SATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
624 En existencias
1
$ 136,71
10
$ 88,35
100
$ 65,10
500
$ 54,41
800
$ 45,38
2.400
$ 41,43
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-3
N-Channel
1 Channel
30 V
125 A
1.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2.35 V
46 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
IPB023N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 132,99
399 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IPB023N03LF2SATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
399 En existencias
1
$ 132,99
10
$ 86,03
100
$ 59,52
500
$ 52,55
800
$ 44,04
2.400
$ 39,94
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-3
N-Channel
1 Channel
30 V
119 A
2.35 mOhms
- 20 V, 20 V
2.35 V
24 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
IPD023N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 73,47
3.890 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IPD023N03LF2SATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
3.890 En existencias
1
$ 73,47
10
$ 46,45
100
$ 30,97
500
$ 25,39
2.000
$ 19,53
4.000
Ver
1.000
$ 23,02
4.000
$ 18,51
10.000
$ 18,32
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
30 V
137 A
2.35 mOhms
- 20 V, 20 V
2.35 V
24 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
IPD020N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 86,49
1.294 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IPD020N03LF2SATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
1.294 En existencias
1
$ 86,49
10
$ 54,87
100
$ 36,64
500
$ 29,99
2.000
$ 23,06
4.000
Ver
1.000
$ 27,20
4.000
$ 21,90
10.000
$ 21,62
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
30 V
143 A
2.05 mOhms
- 20 V, 20 V
2.35 V
33 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
IPD030N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 67,43
3.736 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IPD030N03LF2SATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
3.736 En existencias
1
$ 67,43
10
$ 42,36
100
$ 28,09
500
$ 22,18
2.000
$ 17,53
4.000
Ver
1.000
$ 20,65
4.000
$ 16,51
10.000
$ 16,00
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
30 V
99 A
3.05 mOhms
- 20 V, 20 V
2.35 V
16 nC
- 55 C
+ 175 C
83 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
IPD040N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 60,45
3.760 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IPD040N03LF2SATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
3.760 En existencias
1
$ 60,45
10
$ 38,04
100
$ 25,16
500
$ 20,69
2.000
$ 15,62
4.000
Ver
1.000
$ 18,46
4.000
$ 14,79
10.000
$ 14,09
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
30 V
73 A
4.05 mOhms
- 20 V, 20 V
2.35 V
13 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
IPD047N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 55,34
2.421 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IPD047N03LF2SATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
2.421 En existencias
1
$ 55,34
10
$ 34,69
100
$ 22,88
500
$ 18,14
2.000
$ 14,09
4.000
Ver
1.000
$ 16,65
4.000
$ 13,21
10.000
$ 12,37
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
30 V
71 A
4.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.35 V
10 nC
- 55 C
+ 175 C
65 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape