FFSP0865B

onsemi
863-FFSP0865B
FFSP0865B

Fabricante:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC SIC DIODE TO220 650V

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre onsemi FFSP0865B

En existencias: 1.334

Existencias:
1.334 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
13 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$ -,--
Precio ext.:
$ -,--
Est. Tarifa:

Precio (UYU)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$ 172,86 $ 172,86
$ 88,20 $ 882,00
$ 77,61 $ 7.761,00
$ 66,59 $ 33.295,00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-220-2
Single
8 A
650 V
1.39 V
56 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSP0865B
Tube
Marca: onsemi
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Dp - Disipación de potencia : 73 W
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Nombre comercial: EliteSiC
Vr - Tensión inversa: 650 V
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

FFSP0865B 650V 8A SiC Schottky Diodes

onsemi FFSP0865B 650V, 8A Silicon Carbide Schottky Diodes use a technology that provides superior switching performance and higher reliability. onsemi FFSP0865B SiC Diodes feature temperature-independent switching characteristics, no reverse recovery current, and excellent thermal performance. Additional benefits include the highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The FFSP0865B 650V and 8A SiC Schottky Diodes come in a TO-220-2LD package.

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.