FGY4LxxT120SWD N-Channel 1200V IGBTs

onsemi FGY4LxxT120SWD N-Channel 1200V IGBTs use the novel field stop 7th generation IGBT technology and the Gen7 Diode in a TO-247 4−lead package. The onsemi FGY4LxxT120SWD offers the optimum performance with low switching and conduction losses for high−efficiency operations in various applications like solar inverter, UPS and ESS.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (UYU) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Paquete / Cubierta
Estilo de montaje
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Máximo voltaje puerta-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
onsemi IGBTs 1200V 140A FS7 IGBT TP247-4L
Hoja de datos
180En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V 20 V 200 A 1.25 kW - 55 C + 175 C FGY4L140T120SWD Tube
onsemi IGBTs 1200V 160A FS7 IGBT TP247-4L
Hoja de datos
176En existencias
240Se espera el 10/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V 20 V 200 A 1.5 kW - 55 C + 175 C FGY4L160T120SWD Tube
onsemi IGBTs 1200V 100A FS7 IGBT TP247-4L
Hoja de datos
49En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V 20 V 200 A 1.071 kW - 55 C + 175 C FGY4L100T120SWD Tube
onsemi IGBTs 1200V 75A FS7 IGBT TP247-4L
Hoja de datos
59En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.37 V 20 V 150 A 652 W - 55 C + 175 C FGY4L75T120SWD Tube