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STD25NF20

Name: STMicroelectronics STD25NF20
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD25NF20
Price: 90.68 UYU
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STD25NF20

Fabricante N.º:

STD25NF20

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.10Ohm 18 A StripFET FET

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$ 260,00)

Precio (UYU)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$ 90,68	$ 90,68
	$ 57,66	$ 576,60
	$ 38,97	$ 3.897,00
	$ 30,92	$ 15.460,00
	$ 28,32	$ 28.320,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$ 26,09	$ 65.225,00
	$ 25,34	$ 126.700,00
	$ 25,30	$ 253.000,00
25.000	Presupuesto

† $ 260,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	200 V
Id - Corriente de drenaje continua:	18 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	125 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	28 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	110 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	STripFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	30 ns
Serie:	STD25NF20
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	40 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns
Peso de la unidad:	330 mg

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Hoja de datos

STD25NF20 Hoja de datos (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

STripFET I™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET I™ Power MOSFETs are enhancement mode Power MOSFETs that benefit from the "single feature size" strip-based process. This decreases the critical alignment steps to offer exceptional manufacturing reproducibility. The result is a transistor with extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics, and low gate charge. This makes these devices ideal for switching automotive applications.