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RM2312-T

Name: Rectron RM2312-T
Brand: Rectron
SKU: 583-RM2312-T
Price: 24.69 UYU
Availability: InStock

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Mouser N.º:

583-RM2312-T

Fabricante N.º:

RM2312-T

Fabricante:

Rectron

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Hoja de datos:

RM2312-T Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$ 260,00)

Precio (UYU)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$ 24,69	$ 24,69
	$ 16,85	$ 168,50
	$ 10,67	$ 1.067,00
	$ 6,70	$ 3.350,00
	$ 5,95	$ 5.950,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$ 5,03	$ 15.090,00
	$ 4,37	$ 26.220,00
	$ 3,88	$ 34.920,00
	$ 3,48	$ 83.520,00

† $ 260,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Rectron
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT23-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	33 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	500 mV
Qg - Carga de puerta:	10 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.25 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Rectron
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	28 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	10 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	18 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	60 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	20 ns

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Hoja de datos

RM2312-T Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Rectron RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET uses advanced trench technology to provide excellent R_DS(ON). The MOSFET features a low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. The device is suitable for use as battery protection or in other switching applications.