Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power
AFM907NT1
NXP Semiconductors
1:
$ 209,47
20.767 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 841-AFM907NT1
NRND
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power
20.767 En existencias
1
$ 209,47
10
$ 159,19
25
$ 146,41
100
$ 132,29
1.000
$ 104,95
4.000
Ver
250
$ 125,68
500
$ 121,71
4.000
$ 97,46
8.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
3 A
30 V
136 MHz to 941 MHz
15 dB
8 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
DFN-16
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
NXP Semiconductors AFV09P350-04NR3
AFV09P350-04NR3
NXP Semiconductors
1:
$ 8.011,76
244 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFV09P350-04NR3
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
244 En existencias
1
$ 8.011,76
10
$ 6.748,79
25
$ 6.432,16
50
$ 6.242,10
100
Ver
250
$ 5.378,66
100
$ 5.414,82
250
$ 5.378,66
500
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
105 V
720 MHz to 960 MHz
19.2 dB
100 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
OM-780-4
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
AFM906NT1
NXP Semiconductors
1:
$ 163,60
1.038 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFM906NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
1.038 En existencias
1
$ 163,60
10
$ 123,03
25
$ 112,89
100
$ 101,87
250
Ver
1.000
$ 78,94
250
$ 98,78
500
$ 95,25
1.000
$ 78,94
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
4.7 A
30 V
136 MHz to 941 MHz
16.2 dB
6.5 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
HVSON-16
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
MRF1K50NR5
NXP Semiconductors
1:
$ 15.774,37
41 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRF1K50NR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
41 En existencias
1
$ 15.774,37
10
$ 13.618,85
25
$ 13.081,29
50
$ 10.478,61
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
36 A
133 V
1.8 MHz to 500 MHz
23 dB
1.5 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
OM-1230-4
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
AFT09MS031NR1
NXP Semiconductors
1:
$ 948,11
486 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT09MS031NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
486 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 948,11
10
$ 756,28
25
$ 708,22
100
$ 616,49
250
Ver
500
$ 608,11
250
$ 608,56
500
$ 608,11
1.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
10 A
40 V
764 MHz to 941 MHz
15.7 dB
32 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-2
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
MMRF1014NT1
NXP Semiconductors
1:
$ 934,88
584 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MMRF1014NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
584 En existencias
1
$ 934,88
10
$ 745,26
25
$ 698,07
100
$ 646,04
250
Ver
1.000
$ 593,56
250
$ 620,90
500
$ 611,64
1.000
$ 593,56
4.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
50 mA
68 V
1 MHz to 2 GHz
19 dB
4 W
+ 150 C
SMD/SMT
PLD-1.5
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
MRFX1K80GNR5
NXP Semiconductors
1:
$ 14.700,13
4 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MRFX1K80GNR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
4 En existencias
1
$ 14.700,13
10
$ 12.669,85
25
$ 12.154,35
50
$ 11.844,34
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
43 A
179 V
1.8 MHz to 400 MHz
24.4 dB
1.8 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
OM-1230G-4
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
AFT05MP075GNR1
NXP Semiconductors
1:
$ 1.557,55
313 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MP075GNR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
313 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 1.557,55
10
$ 1.262,09
25
$ 1.188,01
100
$ 1.106,86
250
Ver
500
$ 1.028,37
250
$ 1.068,06
500
$ 1.028,37
1.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
8 A
40 V
136 MHz to 520 MHz
18.5 dB
70 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-WBG-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF101AN
NXP Semiconductors
1:
$ 2.213,73
3.598 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MRF101AN
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
3.598 En existencias
1
$ 2.213,73
10
$ 1.810,23
25
$ 1.596,35
100
$ 1.526,24
250
Ver
250
$ 1.484,35
500
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
8.8 A
133 V
1.8 MHz to 250 MHz
21.1 dB
115 W
- 40 C
+ 150 C
Through Hole
TO-220-3
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF300AN
NXP Semiconductors
1:
$ 4.393,06
356 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MRF300AN
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
356 En existencias
1
$ 4.393,06
10
$ 3.659,71
30
$ 3.445,83
120
$ 3.254,01
510
Ver
510
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
30 A
133 V
1.8 MHz to 250 MHz
20.4 dB
330 W
- 40 C
+ 150 C
Through Hole
TO-247-3
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors
1:
$ 20.197,42
63 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
63 En existencias
1
$ 20.197,42
10
$ 17.503,90
25
$ 16.831,84
50
$ 16.427,02
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
43 A
179 V
1.8 MHz to 400 MHz
25.1 dB
1.8 kW
- 40 C
+ 150 C
Screw Mount
NI-1230H-4
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
1:
$ 188,30
8.571 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
8.571 En existencias
1
$ 188,30
10
$ 142,00
25
$ 130,53
100
$ 117,74
250
Ver
1.000
$ 100,54
250
$ 111,57
500
$ 108,04
1.000
$ 100,54
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
4 A
30 V
136 MHz to 941 MHz
20.9 dB
4.9 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
SOT-89-3
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
AFT09MS007NT1
NXP Semiconductors
1:
$ 509,78
5.621 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT09MS007NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
5.621 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 509,78
10
$ 394,68
25
$ 366,02
100
$ 334,26
250
Ver
1.000
$ 302,07
250
$ 319,27
500
$ 310,01
1.000
$ 302,07
4.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
3 A
30 V
136 MHz to 941 MHz
15.2 dB
7.3 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
PLD-1.5
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
1:
$ 19.705,72
46 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
46 En existencias
1
$ 19.705,72
10
$ 17.067,77
25
$ 16.409,38
50
$ 16.012,06
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
36 A
135 V
1.8 MHz to 500 MHz
23.7 dB
1.5 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230H-4S
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
MRFE6S9060NR1
NXP Semiconductors
1:
$ 4.711,01
535 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6S9060NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
535 En existencias
1
$ 4.711,01
10
$ 3.932,24
25
$ 3.737,76
100
$ 3.524,77
250
Ver
500
$ 3.522,56
250
$ 3.523,89
500
$ 3.522,56
1.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
1.5 A
66 V
1 GHz
21.1 dB
14 W
+ 150 C
Screw Mount
TO-270
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
MRFE6VP6300HR5
NXP Semiconductors
1:
$ 23.918,86
527 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP6300HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
527 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
130 V
1.8 MHz to 600 MHz
26.5 dB
300 W
+ 150 C
Screw Mount
NI-780-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
MW6S004NT1
NXP Semiconductors
1:
$ 1.210,94
1.332 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 841-MW6S004NT1
NRND
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
1.332 En existencias
1
$ 1.210,94
10
$ 970,60
25
$ 910,63
100
$ 844,48
250
Ver
1.000
$ 794,21
250
$ 813,17
500
$ 794,21
1.000
$ 794,21
4.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
68 V
1 MHz to 2 GHz
18 dB
4 W
+ 150 C
SMD/SMT
PLD-1.5-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
1:
$ 16.990,15
20 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
20 En existencias
1
$ 16.990,15
10
$ 14.663,53
25
$ 14.083,20
50
$ 12.798,18
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
43 A
179 V
1.8 MHz to 400 MHz
24.4 dB
1.8 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
OM-1230-4
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
1:
$ 2.163,46
165 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
165 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 2.163,46
10
$ 1.766,13
25
$ 1.666,91
100
$ 1.557,99
250
Ver
500
$ 1.474,64
250
$ 1.536,82
500
$ 1.474,64
1.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
8 A
40 V
136 MHz to 520 MHz
18.5 dB
70 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-WB-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors
1:
$ 1.610,03
510 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
510 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 1.610,03
10
$ 1.300,46
25
$ 1.222,84
100
$ 1.138,17
250
Ver
500
$ 1.072,47
250
$ 1.097,60
500
$ 1.072,47
1.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
7.5 A
40 V
136 MHz to 520 MHz
17.7 dB
33 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-2
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
1:
$ 1.149,20
549 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
549 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 1.149,20
10
$ 920,33
25
$ 863,44
100
$ 800,38
250
Ver
500
$ 717,04
250
$ 770,40
500
$ 717,04
1.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
7.5 A
40 V
136 MHz to 520 MHz
17.7 dB
33 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-2
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
1:
$ 32.604,00
50 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
50 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 32.604,00
10
$ 28.615,76
25
$ 28.456,13
50
$ 27.044,54
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
2 A
130 V
1.8 MHz to 600 MHz
25 dB
600 W
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
MRFE6VP5600HR6
NXP Semiconductors
1:
$ 15.276,94
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP5600HR6
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Embalaje alternativo
1
$ 15.276,94
10
$ 13.084,82
25
$ 12.552,11
50
$ 12.436,57
100
Ver
150
$ 11.676,32
100
$ 12.216,52
150
$ 11.676,32
450
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
130 V
1.8 MHz to 600 MHz
25 dB
600 W
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
1:
$ 20.779,51
120 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
120 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 20.779,51
10
$ 18.020,73
25
$ 17.332,36
50
$ 16.916,95
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
30 A
133 V
1.8 MHz to 600 MHz
24 dB
1.25 kW
+ 150 C
Screw Mount
NI-1230H-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF101BN
NXP Semiconductors
1:
$ 1.952,23
253 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MRF101BN
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
253 En existencias
1
$ 1.952,23
10
$ 1.587,98
25
$ 1.425,25
250
$ 1.376,75
500
Ver
500
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
No
N-Channel
Si
8.8 A
133 V
1.8 MHz to 250 MHz
21.1 dB
115 W
- 40 C
+ 150 C
Through Hole
TO-220-3
Tube
Uruguay