Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
MRFE6S9060NR1
NXP Semiconductors
1:
$ 4.095,84
535 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6S9060NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
535 En existencias
1
$ 4.095,84
10
$ 3.341,32
100
$ 3.066,15
500
$ 3.002,21
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N-Channel
Si
1.5 A
66 V
1 GHz
21.1 dB
14 W
+ 150 C
Screw Mount
TO-270
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
NXP Semiconductors AFV09P350-04NR3
AFV09P350-04NR3
NXP Semiconductors
1:
$ 6.589,59
244 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFV09P350-04NR3
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
244 En existencias
1
$ 6.589,59
10
$ 5.577,10
100
$ 5.228,28
250
$ 5.228,28
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Detalles
N-Channel
Si
105 V
720 MHz to 960 MHz
19.2 dB
100 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
OM-780-4
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power
AFM907NT1
NXP Semiconductors
1:
$ 209,47
15.727 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 841-AFM907NT1
NRND
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power
15.727 En existencias
1
$ 209,47
10
$ 146,41
100
$ 125,68
500
$ 121,71
1.000
$ 109,80
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Detalles
N-Channel
Si
3 A
30 V
136 MHz to 941 MHz
15 dB
8 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
DFN-16
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
MMRF1014NT1
NXP Semiconductors
1:
$ 878,44
584 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MMRF1014NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
584 En existencias
1
$ 878,44
10
$ 680,44
100
$ 610,76
500
$ 607,23
1.000
$ 593,56
2.000
Ver
2.000
Presupuesto
Comprar
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Detalles
N-Channel
Si
50 mA
68 V
1 MHz to 2 GHz
19 dB
4 W
+ 150 C
SMD/SMT
PLD-1.5
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
MRF1K50NR5
NXP Semiconductors
1:
$ 14.872,56
41 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRF1K50NR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
41 En existencias
1
$ 14.872,56
10
$ 11.976,19
50
$ 11.976,19
Comprar
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Detalles
N-Channel
Si
36 A
133 V
1.8 MHz to 500 MHz
23 dB
1.5 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
OM-1230-4
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
AFM906NT1
NXP Semiconductors
1:
$ 163,60
1.038 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFM906NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
1.038 En existencias
1
$ 163,60
10
$ 112,89
100
$ 96,58
500
$ 93,93
1.000
$ 83,35
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
4.7 A
30 V
136 MHz to 941 MHz
16.2 dB
6.5 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
HVSON-16
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
AFT09MS031NR1
NXP Semiconductors
1:
$ 889,90
486 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT09MS031NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
486 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 889,90
10
$ 708,22
100
$ 615,17
500
$ 614,73
1.000
Ver
1.000
Presupuesto
Comprar
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Detalles
N-Channel
Si
10 A
40 V
764 MHz to 941 MHz
15.7 dB
32 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-2
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
AFT05MP075GNR1
NXP Semiconductors
1:
$ 1.416,88
313 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MP075GNR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
313 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 1.416,88
10
$ 1.188,01
100
$ 1.057,03
500
$ 1.026,17
1.000
Ver
1.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
8 A
40 V
136 MHz to 520 MHz
18.5 dB
70 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-WBG-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
MRFX1K80GNR5
NXP Semiconductors
1:
$ 13.800,53
4 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MRFX1K80GNR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
4 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
43 A
179 V
1.8 MHz to 400 MHz
24.4 dB
1.8 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
OM-1230G-4
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF101AN
NXP Semiconductors
1:
$ 2.031,60
3.593 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MRF101AN
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
3.593 En existencias
1
$ 2.031,60
10
$ 1.513,01
100
$ 1.417,76
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
8.8 A
133 V
1.8 MHz to 250 MHz
21.1 dB
115 W
- 40 C
+ 150 C
Through Hole
TO-220-3
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF300AN
NXP Semiconductors
1:
$ 3.831,69
355 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MRF300AN
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
355 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
30 A
133 V
1.8 MHz to 250 MHz
20.4 dB
330 W
- 40 C
+ 150 C
Through Hole
TO-247-3
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors
1:
$ 17.630,46
63 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
63 En existencias
1
$ 17.630,46
10
$ 15.261,95
50
$ 15.261,95
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
43 A
179 V
1.8 MHz to 400 MHz
25.1 dB
1.8 kW
- 40 C
+ 150 C
Screw Mount
NI-1230H-4
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
1:
$ 172,86
8.559 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
8.559 En existencias
1
$ 172,86
10
$ 119,51
100
$ 102,31
500
$ 98,78
1.000
$ 89,96
2.000
$ 88,64
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
4 A
30 V
136 MHz to 941 MHz
20.9 dB
4.9 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
SOT-89-3
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
AFT09MS007NT1
NXP Semiconductors
1:
$ 483,32
5.621 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT09MS007NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
5.621 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 483,32
10
$ 354,99
100
$ 302,51
500
$ 285,76
1.000
$ 266,79
2.000
Ver
2.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
3 A
30 V
136 MHz to 941 MHz
15.2 dB
7.3 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
PLD-1.5
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
MRFE6VP6300HR5
NXP Semiconductors
1:
$ 16.650,16
527 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP6300HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
527 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
130 V
1.8 MHz to 600 MHz
26.5 dB
300 W
+ 150 C
Screw Mount
NI-780-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
MW6S004NT1
NXP Semiconductors
1:
$ 1.060,56
1.332 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 841-MW6S004NT1
NRND
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
1.332 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
68 V
1 MHz to 2 GHz
18 dB
4 W
+ 150 C
SMD/SMT
PLD-1.5-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
MRFE6VP5600HR6
NXP Semiconductors
1:
$ 13.730,86
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP5600HR6
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Embalaje alternativo
1
$ 13.730,86
10
$ 11.436,43
100
$ 10.835,37
150
$ 10.835,37
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
130 V
1.8 MHz to 600 MHz
25 dB
600 W
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
1:
$ 15.073,21
20 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
20 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
43 A
179 V
1.8 MHz to 400 MHz
24.4 dB
1.8 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
OM-1230-4
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
1:
$ 1.919,59
165 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
165 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 1.919,59
10
$ 1.534,18
100
$ 1.400,56
500
$ 1.355,14
1.000
Ver
1.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
8 A
40 V
136 MHz to 520 MHz
18.5 dB
70 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-WB-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors
1:
$ 1.269,15
510 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
510 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 1.269,15
10
$ 996,18
100
$ 889,46
500
$ 877,11
2.500
Ver
2.500
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
7.5 A
40 V
136 MHz to 520 MHz
17.7 dB
33 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-2
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
1:
$ 1.006,32
549 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
549 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
7.5 A
40 V
136 MHz to 520 MHz
17.7 dB
33 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-2
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
1:
$ 17.187,71
44 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
44 En existencias
1
$ 17.187,71
10
$ 14.874,76
50
$ 14.874,76
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
36 A
135 V
1.8 MHz to 500 MHz
23.7 dB
1.5 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230H-4S
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
1:
$ 37.127,60
50 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
50 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 37.127,60
10
$ 30.911,52
50
$ 30.911,52
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
2 A
130 V
1.8 MHz to 600 MHz
25 dB
600 W
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
1:
$ 18.153,91
119 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
119 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 18.153,91
10
$ 15.720,13
50
$ 15.720,13
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
30 A
133 V
1.8 MHz to 600 MHz
24 dB
1.25 kW
+ 150 C
Screw Mount
NI-1230H-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF101BN
NXP Semiconductors
1:
$ 1.693,81
253 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MRF101BN
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
253 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
No
N-Channel
Si
8.8 A
133 V
1.8 MHz to 250 MHz
21.1 dB
115 W
- 40 C
+ 150 C
Through Hole
TO-220-3
Tube
Uruguay