Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
SSM3K341TU,LXHF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Dual Nc h Id:0.8A, Vdss: 20
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3A U
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3A U
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4.
SSM6J422TU,LXHF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4.
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Vds:-60 V Vgss:+10/-20V Id:
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -2A AECQ MOSFET
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Si
SMD/SMT
S-Mini-3
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Toshiba
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AEC-Q101
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SSM3K62TU,LXHF
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K62TULXHF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Vds s:20V ID:0.8A SOT-2
2.212 En existencias
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Detalles
Si
SMD/SMT
UFM-3
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AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Io: 0.4A Vdss: 60V Vgss
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Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K7002KFULXH
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Io: 0.4A Vdss: 60V Vgss
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Ver
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Detalles
Si
SMD/SMT
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AEC-Q101
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SSM6N7002KFU,LXH
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N7002KFULXH
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS 2 in 1 Dual Nch High ESD protected
2.554 En existencias
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Detalles
Si
SMD/SMT
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SSM3J371R,LXHF
Toshiba
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4A S
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Min.: 1 Mult.: 1
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Si
SMD/SMT
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AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A
SSM3J374R,LXHF
Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J374RLXHF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A
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Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23F-3
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AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
SSM3K341R,LXHF
Toshiba
1:
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
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Si
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SOT-23F-3
N-Channel
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Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Nch I: 0.4A, V: 60V, P: 270mW S-Min
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Toshiba
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Nch I: 0.4A, V: 60V, P: 270mW S-Min
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1
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SMD/SMT
S-Mini-3
N-Channel
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- 20 V, 20 V
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Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET
SSM3J377R,LXHF
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SOT-23F-3
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SSM3J372R,LXHF
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SOT-23F-3
P-Channel
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6 A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.2A
SSM3J144TU,LXHF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.2A
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Si
SMD/SMT
UFM-3
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AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
