Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 12

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

STD80N340K6
STMicroelectronics
1: $ 200,42
2.575En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N340K6

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2.575En existencias

Cinta cortada

$ 200,42

$ 132,06

$ 93,47

$ 85,56

Envase tipo carrete

$ 72,08

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

12 A

340 mOhms

- 10 V, 10 V

3 V

17.8 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET

STF80N240K6
STMicroelectronics
1: $ 275,75
23En existencias
1.000Se espera el 17/2/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STF80N240K6

N.º de artículo de Mouser
511-STF80N240K6

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

23En existencias

1.000Se espera el 17/2/2026

$ 275,75

$ 208,32

$ 168,33

$ 149,73

$ 128,34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

16 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

25.9 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

STF80N1K1K6
STMicroelectronics
1: $ 114,39
1.003En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STF80N1K1K6

N.º de artículo de Mouser
511-STF80N1K1K6

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1.003En existencias

$ 114,39

$ 73,01

$ 49,76

$ 41,52

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5 A

1.1 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

5.7 nC

- 55 C

+ 150 C

21 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

STF80N600K6
STMicroelectronics
1: $ 147,87
1.047En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STF80N600K6

N.º de artículo de Mouser
511-STF80N600K6

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1.047En existencias

$ 147,87

$ 96,26

$ 73,47

$ 61,38

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

7 A

600 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

10.7 nC

- 55 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

STD80N240K6
STMicroelectronics
1: $ 240,41
364En existencias
2.500Se espera el 17/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
STD80N240K6

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N240K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

364En existencias

2.500Se espera el 17/8/2026

Cinta cortada

$ 240,41

$ 176,24

$ 142,29

$ 126,48

$ 108,35

Envase tipo carrete

$ 108,35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

800 V

16 A

220 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

25.9 nC

- 55 C

+ 150 C

105 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

STD80N450K6
STMicroelectronics
1: $ 194,37
816En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N450K6

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N450K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

816En existencias

Cinta cortada

$ 194,37

$ 127,41

$ 95,33

$ 84,63

$ 72,54

Envase tipo carrete

$ 68,36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

17.3 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

STP80N1K1K6
STMicroelectronics
1: $ 110,67
1.062En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP80N1K1K6

N.º de artículo de Mouser
511-STP80N1K1K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1.062En existencias

$ 110,67

$ 71,61

$ 48,83

$ 38,87

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

STP80N600K6
STMicroelectronics
1: $ 146,94
888En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP80N600K6

N.º de artículo de Mouser
511-STP80N600K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

888En existencias

$ 146,94

$ 74,40

$ 68,82

$ 57,66

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

7 A

600 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

10.7 nC

- 55 C

+ 150 C

86 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET

STP80N450K6
STMicroelectronics
1: $ 205,53
229En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP80N450K6

N.º de artículo de Mouser
511-STP80N450K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

229En existencias

$ 205,53

$ 110,67

$ 99,98

$ 82,31

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

450 mOhms

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP80N240K6
STMicroelectronics
1: $ 286,44
75En existencias
1.000Se espera el 21/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP80N240K6

N.º de artículo de Mouser
511-STP80N240K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

75En existencias

1.000Se espera el 21/9/2026

$ 286,44

$ 154,85

$ 141,83

$ 118,58

$ 115,32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25.9 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP80N340K6
STMicroelectronics
1.000: $ 79,52
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STP80N340K6

N.º de artículo de Mouser
511-STP80N340K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

$ 79,52

Min.: 1.000
Mult.: 1.000

Through Hole

TO-220-3

1 Channel

800 V

12 A

340 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

- 55 C

+ 150 C

115 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP80N900K6
STMicroelectronics
1.000: $ 38,92
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STP80N900K6

N.º de artículo de Mouser
511-STP80N900K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

$ 38,92

$ 37,57

$ 36,87

$ 36,74

Min.: 1.000
Mult.: 1.000

Through Hole

TO-220-3

1 Channel

800 V

6 A

900 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

Tube

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte