MR3A16A 8MB 16-Bit I/O Parallel Interface MRAM

Everspin Technologies MR3A16A 8MB 16-Bit I/O Parallel Interface Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) modules are 8,388,608-bit MRAM devices organized as 524,288 words of 16 bits. The MR3A16A series features SRAM-compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. Data is always nonvolatile for >20 years and is automatically protected. The modules are available in a 48-pin ball grid array (BGA) package with a small footprint and a 54-pin thin small outline package (TSOP Type 2). Both package types are compatible with similar low-power SRAM products and nonvolatile RAM products. Everspin MR3A16A MRAM devices provide highly reliable data storage over various temperatures. The series offers an ideal memory solution for applications that permanently store and quickly retrieve critical data and programs.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (UYU) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Paquete / Cubierta
Tipo de interfaz
Tamaño de memoria
Organización
Ancho de bus de datos
Tiempo de acceso
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Corriente de suministro operativa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 480
Mult.: 240

BGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR3A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

BGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR3A16A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR3A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR3A16A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 480
Mult.: 240

BGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR3A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

BGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR3A16A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 216
Mult.: 108

TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR3A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR3A16A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 216
Mult.: 108

TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR3A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR3A16A Reel