DMN601WKQ N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMN601WKQ N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are Electrostatic Discharge (ESD) protected with fast switching speed. These MOSFETs are low on-resistance (RDS(ON)), low threshold voltage, low input capacitance, and low input/output leakage. The moisture sensitivity of these MOSFETs is of level 1 as per J-STD-020 standard. The DMN601WKQ MOSFETs from Diodes Incorporated are qualified to AEC-Q101 standard and PPAP (Production Part Approval Process) capable. These MOSFETs are free from lead, antimony, and halogen and are available in the S0T323 package.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (UYU) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family
Hoja de datos
8.892En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V - 65 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family
Hoja de datos
8.782En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V - 65 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel