IF170x N-Channel JFETs

InterFET IF170x N-Channel JFETs are designed for sensitive amplifier stages for mid-frequencies designs. These JFETs feature 1nV/√Hz typical low noise voltage, 22mS typical high gain, -30V reverse gate-source and gate-drain voltage, and 750fA typical @10V low gate leakage. The IF170x n-channel JFETs offer high radiation tolerance and a -65°C to 175°C operating junction temperature range. These JFETs are RoHS, REACH, and CMR compliant and available in SMT, TH, and bare die packages. Typical applications include amplifiers, oscillators, voltage regulators, noise generators, satellites, medical, signal mixers, headphone amplifiers, audio filters, ultrasound equipment, communications, medical imaging systems, and military.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (UYU) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Voltaje de corte puerta-fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -30V Low Noise
Hoja de datos
529En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 10 V - 30 V - 2 V 6.5 mA 10 mA 300 mW - 55 C + 135 C IF170A Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -30V Low Noise
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 7 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

SMD/SMT SOT-23-3 IF170A Reel, Cut Tape
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -30V Low Noise
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 750
Mult.: 50

Through Hole TO-72-4 IF170A Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -30V Low Noise
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 650
Mult.: 25

SMD/SMT SOT-23-3 IF170A Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -30V Low Noise
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

SMD/SMT SOT-23-3 IF170A Reel
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -30V Low Noise
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 750
Mult.: 50

Through Hole TO-72-4 IF170A Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -30V Low Noise
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 650
Mult.: 25

SMD/SMT SOT-23-3 IF170A Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -30V Low Noise
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

SMD/SMT SOT-23-3 IF170A Reel
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -30V Low Noise
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 750
Mult.: 50

Through Hole TO-72-4 IF170A Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -30V Low Noise
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No en existencias
Min.: 650
Mult.: 25

SMD/SMT SOT-23-3 IF170A Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -30V Low Noise
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

SMD/SMT SOT-23-3 IF170A Reel
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -30V Low Noise
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No en existencias
Min.: 750
Mult.: 50

Through Hole TO-72-4 IF170A Bulk