MJD44H11A & MJD45H11A 80V 8A Bipolar Transistors

Nexperia MJD44H11A and MJD45H11A 80V 8A Bipolar Transistors offer high thermal power dissipation in a power DPAK, TO-252 (SOT428C) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. These devices provide high energy efficiency due to low heat generation and feature low collector-emitter saturation voltage. The MJD44H11A and MJD45H11A are ideal for various applications, including linear voltage regulators, power management, and constant current drive backlighting.

Resultados: 3
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (UYU) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Configuración Corriente CC máxima de colector Máx. voltaje VCEO colector-emisor Voltaje VEBO emisor-base Voltaje de saturación colector-emisor Dp - Disipación de potencia Producto para ganar Ancho de banda fT Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Empaquetado
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT428 80V 8A NPN HI PWR BJT 54En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 15.000
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 8 A 80 V 6 V 1 V 20 W 160 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT428 80V 8A NPN HI PWR BJT 155En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 155
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 8 A 80 V 6 V 1 V 20 W 160 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT428 80V 8A PNP HI PWR BJT 1.632En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.632
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 8 A 80 V 6 V 1 V 20 W 80 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel