Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJB90EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJB90EP-T1_GE3

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78-SQJB90EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified

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N-Channel

2 Channel

80 V

30 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified

SQJ570EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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+ 175 C

27 W, 27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ980AEP-T1_GE3

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78-SQJ980AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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75 V

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1.5 V

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+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ946EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ946EP-T1_GE3

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78-SQJ946EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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27 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 40V PowerPAK

SQJB42EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ200EP-T1_GE3
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SQJ200EP-T1_GE3

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27 W, 48 W

Enhancement

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TrenchFET

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SQJ202EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ202EP-T1_GE3

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5.2 mOhms, 2.5 mOhms

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1 V

22 nC, 54 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJ990EP-T1_GE3
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SQJ990EP-T1_GE3

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15 nC, 30 nC

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+ 175 C

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AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJB80EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJB80EP-T1_GE3

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2 Channel

80 V

30 A

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32 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJ974EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ974EP-T1_GE3

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Vishay Semiconductors

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$ 55,12

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2 Channel

100 V

30 A

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48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJB00EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $ 96,58
6.000En existencias

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SQJB00EP-T1_GE3

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78-SQJB00EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

30 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQJ951EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $ 94,81
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SQJ951EP-T1_GE3

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78-SQJ951EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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$ 41,19

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$ 29,28

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PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

2 Channel

30 V

30 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

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AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJB60EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJB60EP-T1_GE3

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78-SQJB60EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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$ 60,86

$ 51,59

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N-Channel

2 Channel

60 V

30 A

10 mOhms

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1.5 V

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48 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified

SQJ963EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ963EP-T1_GE3

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781-SQJ963EP-T1_GE3

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PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

2 Channel

60 V

8 A

67 mOhms, 67 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

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AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

SQJ968EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ968EP-T1_GE3

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78-SQJ968EP-T1_GE3

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2 Channel

60 V

23.5 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

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+ 175 C

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AEC-Q101

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SQJB40EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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3.000Se espera el 7/5/2026

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SQJB40EP-T1_GE3

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2.015En existencias

3.000Se espera el 7/5/2026

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40 V

30 A

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- 20 V, 20 V

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AEC-Q101

TrenchFET

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