Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified

SQJ570EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix

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27 W, 27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified

SQJ960EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJB90EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 15A AEC-Q101 Qualified

SQJ940EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ980AEP-T1_GE3

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34 W

Enhancement

AEC-Q101

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SQJB42EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ946EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ946EP-T1_GE3

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Enhancement

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SQJ200EP-T1_GE3
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AEC-Q101

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SQJ990EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ990EP-T1_GE3

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+ 175 C

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SQJ202EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ202EP-T1_GE3

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1 V

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- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJ942EP-T1_GE3
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2 Channel

40 V

15 A, 45 A

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1.3 V

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJB80EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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2 Channel

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30 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

32 nC

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48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJ974EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ974EP-T1_GE3

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2 Channel

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TrenchFET

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SQJ951EP-T1_GE3
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2 Channel

30 V

30 A

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50 nC

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+ 175 C

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SQJB60EP-T1_GE3
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30 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

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AEC-Q101

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SQJ963EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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P-Channel

2 Channel

60 V

8 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJ968EP-T1_GE3
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SQJ968EP-T1_GE3

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2 Channel

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SQJB40EP-T1_GE3
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N-Channel

2 Channel

40 V

30 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

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AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

SQJ992EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ992EP-T1_GE3

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AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJB00EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $ 86,03
6.000Se espera el 19/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJB00EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJB00EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified

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6.000Se espera el 19/2/2026

Cinta cortada

$ 86,03

$ 54,87

$ 36,87

$ 29,16

Envase tipo carrete

$ 23,53

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

30 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

5.2 mOhms, 2.5 mOhms
6.3 mOhms, 6.3 mOhms
7.4 mOhms, 3.1 mOhms
7.9 mOhms
10 mOhms
10.5 mOhms
13.3 mOhms, 5.3 mOhms
14 mOhms
15.5 mOhms
17.9 mOhms
18 mOhms, 9 mOhms
21 mOhms, 21 mOhms
27 mOhms, 27 mOhms
28 mOhms, 28 mOhms
30 mOhms, 30 mOhms
32.5 mOhms, 15.4 mOhms
41 mOhms
45 mOhms, 146 mOhms
47 mOhms, 47 mOhms
67 mOhms, 67 mOhms