MOSFETs de SiC – Mouser Uruguay

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Automotive-Grade Silicon Carbide Power MOSFETs

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado automotor de STMicroelectronics están desarrollados con la innovadora tecnología MOSFET SiC de 2da/3ra generación de ST. Los dispositivos cuentan con bajo nivel de resistencia de encendido por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. Los MOSFET cuentan con una capacidad de temperatura en funcionamiento muy alta (TJ = 200°C), y un diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y sólido.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

SCT011HU75G3AG
STMicroelectronics
1: $ 1.162,97
274En existencias
600Se espera el 9/3/2026
Nuevo producto

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SCT011HU75G3AG

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511-SCT011HU75G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

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274En existencias

600Se espera el 9/3/2026

Cinta cortada

$ 1.162,97

$ 854,67

$ 854,21

Envase tipo carrete

$ 697,97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

110 A

15 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.2 V

154 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: $ 964,88
640En existencias
Nuevo producto

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SCT012W90G3-4AG

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511-SCT012W90G3-4AG

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STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

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640En existencias

$ 964,88

$ 822,59

$ 711,45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

SCT016H120G3AG
STMicroelectronics
1: $ 1.084,38
882En existencias
Nuevo producto

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SCT016H120G3AG

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511-SCT016H120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

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882En existencias

Cinta cortada

$ 1.084,38

$ 783,99

$ 783,53

$ 782,60

Envase tipo carrete

$ 639,38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

112 A

22 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
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739En existencias
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SCT020HU120G3AG

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511-SCT020HU120G3AG

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STMicroelectronics

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Cinta cortada

$ 953,72

$ 790,04

$ 683,09

Envase tipo carrete

$ 633,80

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

555 W

Enhancement

AEC-Q101

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SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: $ 888,15
513En existencias
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SCT020W120G3-4AG

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511-SCT020W120G3-4AG

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$ 732,84

$ 726,80

$ 714,24

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Mult.: 1

Through Hole

Hip247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 200 C

541 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: $ 839,33
502En existencias
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SCT025W120G3AG

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511-SCT025W120G3AG

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STMicroelectronics

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502En existencias

$ 839,33

$ 671,93

$ 580,79

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Mult.: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

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SCT040HU120G3AG
STMicroelectronics
1: $ 628,22
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600Se espera el 4/1/2027
Nuevo producto

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STMicroelectronics

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600Se espera el 4/1/2027

Cinta cortada

$ 628,22

$ 439,89

$ 387,81

Envase tipo carrete

$ 380,37

$ 328,76

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

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SCT025H120G3AG
STMicroelectronics
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14En existencias
2.000Se espera el 12/10/2026
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SCT025H120G3AG

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2.000Se espera el 12/10/2026

Cinta cortada

$ 797,94

$ 566,37

$ 528,71

Envase tipo carrete

$ 431,52

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
1: $ 955,58
160En existencias

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SCT012H90G3AG

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511-SCT012H90G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

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160En existencias

Cinta cortada

$ 955,58

$ 686,34

$ 666,81

Envase tipo carrete

$ 544,52

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

12 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
1: $ 606,36
619En existencias

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SCT040W120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

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619En existencias

$ 606,36

$ 424,08

$ 320,85

$ 303,18

$ 302,72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

SCT040HU65G3AG
STMicroelectronics
1: $ 589,62
142En existencias

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SCT040HU65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040HU65G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

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142En existencias

Cinta cortada

$ 589,62

$ 413,39

$ 359,45

Envase tipo carrete

$ 293,88

$ 293,42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

40 mOhms

- 30 V, + 30 V

5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
1: $ 634,73
73En existencias
1.200Se espera el 16/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT070HU120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT070HU120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

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73En existencias

1.200Se espera el 16/3/2026

Cinta cortada

$ 634,73

$ 444,54

$ 393,39

Envase tipo carrete

$ 320,85

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

SCTW40N120G2VAG
STMicroelectronics
1: $ 799,80
593En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCTW40N120G2VAG

N.º de artículo de Mouser
511-SCTW40N120G2VAG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

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593En existencias

$ 799,80

$ 496,16

$ 433,38

$ 432,92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.9 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package

SCTWA40N12G24AG
STMicroelectronics
1: $ 816,54
90En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCTWA40N12G24AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCTWA40N12G24AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package

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90En existencias

$ 816,54

$ 580,32

$ 447,33

$ 444,54

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

33 A

105 mOhms

- 18 V, + 18 V

5 V

63 nC

- 55 C

+ 200 C

290 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: $ 1.126,70
600Se espera el 27/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT015W120G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

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Hoja de datos

600Se espera el 27/7/2026

$ 1.126,70

$ 922,10

$ 814,22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: $ 844,91
1.200En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SCT025W120G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

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Hoja de datos

1.200En pedido

$ 844,91

$ 676,58

$ 584,97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
1: $ 589,62
996Se espera el 22/4/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT040H120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040H120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

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Hoja de datos

996Se espera el 22/4/2026

Cinta cortada

$ 589,62

$ 413,39

$ 359,45

$ 358,98

Envase tipo carrete

$ 293,42

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055HU65G3AG
STMicroelectronics
1: $ 581,72
1.113Se espera el 10/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT055HU65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT055HU65G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

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Hoja de datos

1.113Se espera el 10/3/2026

Cinta cortada

$ 581,72

$ 410,13

$ 355,73

Envase tipo carrete

$ 290,63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

185 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3-7
STMicroelectronics
1: $ 780,27
100En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT025H120G3-7

N.º de artículo de Mouser
511-SCT025H120G3-7

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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100En pedido

Cinta cortada

$ 780,27

$ 603,57

$ 521,73

Envase tipo carrete

$ 521,73

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1: $ 529,17
100En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT040W120G3-4

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W120G3-4

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

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100En pedido

$ 529,17

$ 431,06

$ 358,98

$ 319,92

$ 271,56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package

SCTWA40N120G2V
STMicroelectronics
1: $ 838,86
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SCTWA40N120G2V

N.º de artículo de Mouser
511-SCTWA40N120G2V

NRND

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

$ 838,86

$ 638,91

$ 537,08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

2.45 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

Automotive-Grade Silicon Carbide Power MOSFETs

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