Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 10

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPF031N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 243,66
721En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF031N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF031N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

721En existencias

Cinta cortada

$ 243,66

$ 178,10

$ 135,32

$ 131,60

Envase tipo carrete

$ 110,21

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO263-7

N-Channel

1 Channel

135 V

207 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPF021N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 314,34
1.668En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF021N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF021N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

1.668En existencias

Cinta cortada

$ 314,34

$ 228,32

$ 179,03

$ 176,70

Envase tipo carrete

$ 162,29

$ 155,31

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO263-7

N-Channel

1 Channel

135 V

250 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTC020N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 346,43
915En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTC020N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC020N13NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

915En existencias

Cinta cortada

$ 346,43

$ 256,68

$ 251,57

$ 212,51

Ver

Envase tipo carrete

$ 182,75

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

135 V

297 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

159 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTG020N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 343,64
1.332En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTG020N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTG020N13NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

1.332En existencias

Cinta cortada

$ 343,64

$ 257,61

$ 204,14

$ 193,44

Envase tipo carrete

$ 175,31

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

135 V

297 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

159 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTG029N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 289,70
1.699En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTG029N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTG029N13NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

1.699En existencias

Cinta cortada

$ 289,70

$ 208,32

$ 163,68

$ 163,22

$ 154,85

Envase tipo carrete

$ 134,39

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

135 V

212 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC037N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 189,72
3.914En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC037N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC037N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

3.914En existencias

Cinta cortada

$ 189,72

$ 143,22

$ 107,42

$ 100,44

$ 94,86

Envase tipo carrete

$ 87,42

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

135 V

172 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC046N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 204,60
4.813En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC046N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC046N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

4.813En existencias

Cinta cortada

$ 204,60

$ 137,18

$ 132,99

$ 113,46

Ver

Envase tipo carrete

$ 88,35

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

135 V

142 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPP073N13NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: $ 151,59
363En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP073N13NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP073N13NM6AKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

363En existencias

$ 151,59

$ 69,29

$ 64,17

$ 58,59

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

135 V

98 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT020N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 275,28
117En existencias
8.000Se espera el 12/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT020N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT020N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

117En existencias

8.000Se espera el 12/3/2026

Cinta cortada

$ 275,28

$ 184,61

$ 132,99

$ 131,13

Envase tipo carrete

$ 113,46

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISZ143N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 126,48
570En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISZ143N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ143N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

570En existencias

Cinta cortada

$ 126,48

$ 91,61

$ 66,96

$ 58,13

Envase tipo carrete

$ 46,97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

135 V

54 A

14.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

21 nC

95 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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