NexFET P-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET P-Channel Power MOSFETs are designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. These Texas Instruments NexFET MOSFETs feature ultra-low on-resistance, ultra-low Qg and Qgd, and a small footprint of 1.0mm x 1.5mm.

Resultados: 15
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (UYU) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V PCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD7520 A 595-CSD75208W1015
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8.999En existencias
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Carrete: 250

Si SMD/SMT DSBGA-6 P-Channel 2 Channel 20 V 1.6 A 150 mOhms, 285 mOhms - 6 V, 6 V 800 mV 1.9 nC - 55 C + 150 C 750 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V PCH NexFET A 595 -CSD23202W10 A 595- A 595-CSD23202W10
Hoja de datos
1.984En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 250

Si SMD/SMT DSBGA-4 P-Channel 1 Channel 12 V 2.2 A 92 mOhms - 6 V, 6 V 600 mV 2.9 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205L
Hoja de datos
3.010En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-4 P-Channel 1 Channel 8 V 7.4 A 40 mOhms - 6 V, 6 V 1.05 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 600 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET
Hoja de datos
13.930En existencias
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Si SMD/SMT WSON-6 P-Channel 1 Channel 20 V 20 A 23.9 mOhms - 8 V, 8 V 550 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2.9 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Pch MOSFET A 595 -CSD25404Q3T A 595- A 595-CSD25404Q3T
Hoja de datos
5.799En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 P-Channel 1 Channel 20 V 104 A 6.5 mOhms - 12 V, 12 V 650 mV 10.8 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH NexFET Pwr MOSF ET
Hoja de datos
3.381En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DSBGA-9 P-Channel 1 Channel 8 V 5 A 17.4 mOhms - 6 V, 6 V 800 mV 6.5 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sing A 595-CSD22204WT
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2.990En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DSBGA-9 P-Channel 1 Channel 8 V 5 A 14 mOhms - 6 V, 6 V 950 mV 24.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8-V P-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD22204W
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134En existencias
250Se espera el 8/6/2026
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Min.: 1
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Carrete: 250

Si SMD/SMT DSBGA-9 P-Channel 1 Channel 8 V 5 A 14 mOhms - 6 V, 6 V 450 mV 24.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205LT
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4.068En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PICOSTAR-4 P-Channel 1 Channel 8 V 7.4 A 40 mOhms - 6 V, 6 V 1.05 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206WT
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4.140En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DSBGA-9 P-Channel 1 Channel 8 V 5 A 9.1 mOhms - 6 V, 6 V 1.05 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206W
Hoja de datos
123En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 250

Si SMD/SMT DSBGA-9 P-Channel 1 Channel 8 V 2 A 9.1 mOhms - 6 V, 6 V 700 mV 14.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PCh NexFET Power MOS FET
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3.633En existencias
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Si SMD/SMT DSBGA-6 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 44 mOhms - 6 V, 6 V 800 mV 3.4 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH NexFET Pwr MOSF ET
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5.332En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DSBGA-4 P-Channel 1 Channel 20 V 1.6 A 67 mOhms - 6 V, 6 V 850 mV 2.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch NexFET A 59 5-CSD25304W1015 A 5 A 595-CSD25304W1015
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422En existencias
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Carrete: 250

Si SMD/SMT DSBGA-6 P-Channel 1 Channel 20 V 3 A 92 mOhms - 8 V, 8 V 800 mV 3.3 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-channel NexF ET Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD25404Q3
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479En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 250

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 P-Channel 1 Channel 20 V 104 A 6.5 mOhms - 12 V, 12 V 650 mV 10.8 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel