Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive U-MOSVI Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVI Power MOSFETs are -40V P-channel power MOSFETs for automotive applications. These devices feature a gate drive voltage of -4.5V compared with -6V for the conventional products in the DPAK+ package. This feature allows systems to be used even when the battery voltage drops. The Toshiba Automotive U-MOSVI Power MOSFETs feature low on-resistance.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
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TJ200F04M3L,LXHQ

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757-TJ200F04M3L,LXHQ

Toshiba

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Presupuesto

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Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-220SM-3

P-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.8 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

460 nC

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
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$ 61,85

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$ 25,99

$ 20,27

Envase tipo carrete

$ 16,60

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MouseReel Disponible

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Carrete: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

8 A

104 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

19 nC

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

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TJ60S04M3L,LXHQ
Toshiba
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$ 56,27

$ 38,78

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

6.3 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

125 nC

+ 175 C

90 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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TJ10S04M3L,LXHQ
Toshiba
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DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

10 A

44 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

19 nC

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ80S04M3L,LXHQ
Toshiba
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DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

80 A

5.2 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

158 nC

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

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TJ40S04M3L,LXHQ
Toshiba
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

40 A

9.1 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

83 nC

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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TJ15S06M3L,LXHQ
Toshiba
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

15 A

50 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

36 nC

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ30S06M3L,LXHQ
Toshiba
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TJ30S06M3L,LXHQ

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757-TJ30S06M3L,LXHQ

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$ 22,13

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

30 A

21.8 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

80 nC

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F

SSM6J808R,LXHF
Toshiba
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SSM6J808R,LXHF

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757-SSM6J808RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F

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SMD/SMT

TSOP6F

P-Channel

1 Channel

40 V

7 A

48 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

24.2 nC

+ 150 C

1.5 W

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ20S04M3L,LXHQ
Toshiba
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TJ20S04M3L,LXHQ

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757-TJ20S04M3L,LXHQ

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Carrete: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

20 A

22.2 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

37 nC

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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TJ60S06M3L,LXHQ
Toshiba
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TJ60S06M3L,LXHQ

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757-TJ60S06M3L,LXHQ

Toshiba

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$ 94,86

$ 64,64

$ 43,85

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$ 29,06

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Carrete: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

60 A

11.2 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

156 nC

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ90S04M3L,LXHQ
Toshiba
1: $ 108,81
3.192En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ90S04M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ90S04M3L,LXHQ

Toshiba

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$ 69,75

$ 47,90

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$ 31,34

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Carrete: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.3 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

172 nC

+ 175 C

180 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ50S06M3L,LXHQ
Toshiba
1: $ 87,89
833En existencias
2.000Se espera el 16/3/2026

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TJ50S06M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ50S06M3L,LXHQ

Toshiba

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833En existencias

2.000Se espera el 16/3/2026

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$ 87,89

$ 59,52

$ 41,06

$ 32,60

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$ 26,23

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Carrete: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

50 A

13.8 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

124 nC

+ 175 C

90 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723

SSM3J66MFV,L3XHF
Toshiba
1: $ 15,81
6.583En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J66MFV,L3XHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J66MFVL3XHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723

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$ 15,81

$ 9,63

$ 6,05

$ 4,46

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$ 2,37

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SMD/SMT

VESM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

480 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

1.6 nC

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPH3R114MC,L1XHQ
Toshiba
1: $ 104,16
1.612En existencias
5.000Se espera el 20/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
XPH3R114MC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPH3R114MC,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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5.000Se espera el 20/2/2026

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$ 104,16

$ 66,96

$ 45,43

$ 37,01

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$ 28,97

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

SOP-Advance-8

P-Channel

1 Channel

40 V

100 A

3.1 mOhms

- 20 V, 10 V

2.1 V

230 nC

+ 175 C

170 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPN9R614MC,L1XHQ
Toshiba
1: $ 57,66
2.781En existencias
5.000Se espera el 15/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
XPN9R614MC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPN9R614MC,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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5.000Se espera el 15/5/2026

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$ 57,66

$ 37,67

$ 26,32

$ 21,48

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$ 15,90

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSON-Advance-8

P-Channel

1 Channel

40 V

40 A

9.6 mOhms

- 20 V, 10 V

2.1 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPH4R714MC,L1XHQ
Toshiba
1: $ 90,68
14.688Se espera el 2/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
XPH4R714MC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPH4R714MC,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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14.688Se espera el 2/3/2026

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$ 90,68

$ 57,66

$ 38,27

$ 31,39

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Envase tipo carrete

$ 22,88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

SOP-Advance-8

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

4.7 mOhms

- 20 V, 10 V

2.1 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

132 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-ch MOSFET, -30 V, -6.0 A, 0.042Ohma.10V, DFN2020B(WF)Automotive

XSM6J372NW,LXHF
Toshiba
1: $ 16,74
9.000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XSM6J372NW,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-XSM6J372NWLXHF

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-ch MOSFET, -30 V, -6.0 A, 0.042Ohma.10V, DFN2020B(WF)Automotive

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$ 16,74

$ 10,18

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$ 4,79

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$ 3,44

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Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

DFN2020B-6

P-Channel

1 Channel

30 V

24 A

144 mOhms

- 12 V, 6 V

1.2 V

8.2 nC

+ 150 C

3.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Automotive U-MOSVI Power MOSFETs

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