MOSFETs de SiC – Mouser Uruguay

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CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

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Resultados: 30

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R045M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 504,04
651En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R045M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R045M1HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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Hoja de datos

651En existencias

Cinta cortada

$ 504,04

$ 382,77

$ 331,18

$ 304,72

Envase tipo carrete

$ 284,43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

47 A

45 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R090M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 279,14
1.084En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R090M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R090M1HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

1.084En existencias

Cinta cortada

$ 279,14

$ 208,14

$ 178,60

$ 170,66

Envase tipo carrete

$ 165,81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

125 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 223,14
444En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R107M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R107M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

444En existencias

$ 223,14

$ 162,28

$ 135,82

$ 134,94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R060M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 401,29
345En existencias

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IMBG120R060M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R060M1HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

345En existencias

Cinta cortada

$ 401,29

$ 276,94

$ 221,81

Envase tipo carrete

$ 206,82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

83 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

181 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R030M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 623,99
179En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R030M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R030M1HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

179En existencias

Cinta cortada

$ 623,99

$ 438,34

$ 390,71

Envase tipo carrete

$ 365,13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

41 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R140M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 300,75
594En existencias

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IMBG120R140M1HXTMA1

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726-IMBG120R140M1HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

594En existencias

Cinta cortada

$ 300,75

$ 203,29

$ 149,93

Envase tipo carrete

$ 140,23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

18 A

189 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

13.4 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R220M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 253,12
1.154En existencias

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IMBG120R220M1HXTMA1

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726-IMBG120R220M1HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

1.154En existencias

Cinta cortada

$ 253,12

$ 169,34

$ 121,71

$ 119,07

Envase tipo carrete

$ 111,13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

13 A

294 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.4 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R350M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 223,14
824En existencias
1.000Se espera el 12/3/2026

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IMBG120R350M1HXTMA1

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726-IMBG120R350M1HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

824En existencias

1.000Se espera el 12/3/2026

Cinta cortada

$ 223,14

$ 148,17

$ 105,84

$ 100,54

Envase tipo carrete

$ 93,93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

468 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

5.9 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 626,64
176En existencias
240Se espera el 9/3/2026

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IMW120R030M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R030M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

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176En existencias

240Se espera el 9/3/2026

$ 626,64

$ 383,21

$ 381,89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

40 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R090M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 306,48
1.180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R090M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R090M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

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Hoja de datos

1.180En existencias

$ 306,48

$ 203,29

$ 177,72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

117 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

115 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 265,03
1.004En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R220M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R220M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

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Hoja de datos

1.004En existencias

$ 265,03

$ 150,82

$ 125,68

$ 125,24

$ 123,03

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

13 A

289 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 708,22
840En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R030M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R030M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

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Hoja de datos

840En existencias

$ 708,22

$ 447,16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

40 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 571,95
222En existencias
720Se espera el 23/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R027M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R027M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

222En existencias

720Se espera el 23/7/2026

$ 571,95

$ 347,05

$ 339,12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

59 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 402,62
302En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R048M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R048M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

302En existencias

$ 402,62

$ 236,81

$ 214,32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 561,37
335En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R027M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R027M1HXKSA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

335En existencias

$ 561,37

$ 340,00

$ 331,18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R1K0M1XTMA1
Infineon Technologies
1: $ 229,31
473En existencias
4.000Se espera el 2/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMBF170R1K0M1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBF170R1K0M1XTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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Hoja de datos

473En existencias

4.000Se espera el 2/3/2026

Cinta cortada

$ 229,31

$ 142,44

$ 104,07

$ 94,37

Envase tipo carrete

$ 85,55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

5.2 A

1 Ohms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R450M1XTMA1
Infineon Technologies
1: $ 285,32
49En existencias
4.250En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMBF170R450M1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBF170R450M1XTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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Hoja de datos

49En existencias

4.250En pedido

Cinta cortada

$ 285,32

$ 199,32

$ 154,34

$ 144,20

Envase tipo carrete

$ 130,53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

9.8 A

450 mOhms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 409,23
255En existencias
240Se espera el 30/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R060M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R060M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

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Hoja de datos

255En existencias

240Se espera el 30/7/2026

$ 409,23

$ 241,22

$ 219,17

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

78 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 302,51
422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R140M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R140M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

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Hoja de datos

422En existencias

$ 302,51

$ 174,19

$ 146,85

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

3.5 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 244,75
36En existencias
480En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R350M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R350M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

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Hoja de datos

36En existencias

480En pedido

$ 244,75

$ 159,19

$ 120,39

$ 112,45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

455 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 317,95
194En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R072M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R072M1HXKSA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

194En existencias

$ 317,95

$ 183,89

$ 156,99

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

26 A

94 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 279,58
141En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R107M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R107M1HXKSA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

141En existencias

$ 279,58

$ 160,08

$ 133,62

$ 129,21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 452,01
59En existencias
960Se espera el 11/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R060M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R060M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

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Hoja de datos

59En existencias

960Se espera el 11/6/2026

$ 452,01

$ 318,83

$ 263,71

$ 239,89

$ 235,48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

78 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 331,18
159En existencias
240Se espera el 9/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R140M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R140M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

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Hoja de datos

159En existencias

240Se espera el 9/3/2026

$ 331,18

$ 192,27

$ 165,81

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 280,91
40En existencias
960En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R220M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R220M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

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Hoja de datos

40En existencias

960En pedido

$ 280,91

$ 197,12

$ 174,19

$ 147,73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

13 A

220 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

34 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
45 mOhms
64 mOhms
78 mOhms
83 mOhms
94 mOhms
117 mOhms
125 mOhms
142 mOhms
182 mOhms
189 mOhms
220 mOhms
289 mOhms
294 mOhms
350 mOhms
450 mOhms
455 mOhms
468 mOhms