Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQ Automotive Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and produced using a special process design that is optimized for use in the automotive industry. These SQ MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. The SQ MOSFETs are available in various packages for design flexibility. Packages include the TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK® SO-8, PowerPAK 8x8L, PowerPAK SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK, and PowerPAK 1212-8W, as well as several space-saving, small-outline options. A full range of polarity options is also available, including N-channel and P-channel co-packages. Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are offered in various polarity options, including N-channel and P-channel co-packages.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQ2389CES-T1_GE3
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SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

40 V

4.1 A

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- 20 V, 20 V

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8.2 nC

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+ 175 C

3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQ7414CENW-T1_JE3
Vishay / Siliconix
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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQ4940CEY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQ3481CEV-T1_GE3
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4 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1470AEH-T1_GE3
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1 Channel

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1912AEEH-T1_GE3
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+ 175 C

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Enhancement

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TrenchFET

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SQ1912EH-T1_GE3
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20 V

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- 12 V, 12 V

450 mV

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1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363

SQ1922AEEH-T1_GE3
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SOT-363-6

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2 Channel

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1.5 V

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Enhancement

TrenchFET

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SQ3419AEEV-T1_BE3
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SQ3427EV-T1_GE3
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TSOP-6

P-Channel

1 Channel

60 V

5.3 A

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6

SQ3989EV-T1_GE3
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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

2 Channel

30 V

2.5 A

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1.5 V

11.1 nC

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+ 175 C

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Enhancement

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TrenchFET

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SQ4064EY-T1_BE3
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SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

12 A

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- 20 V, 20 V

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6.8 W

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TrenchFET

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SQ4153EY-T1_GE3
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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

12 V

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8A 4.4W AEC-Q101 Qualified

SQ4920EY-T1_GE3
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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

8 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

4.4 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel

2 Channel

20 V

840 mA

350 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

700 pC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQ4184EY-T1_GE3
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N-Channel

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40 V

29 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

110 nC

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+ 175 C

7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQ4483EY-T1_GE3
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SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

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113 nC

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQ4961EY-T1_GE3
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60 V

4.4 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1539EH-T1_GE3
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N-Channel, P-Channel

2 Channel

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- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3985EV-T1_GE3
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Carrete: 3.000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

2 Channel

20 V

3.9 A

130 mOhms

- 8 V, 8 V

1.5 V

3.1 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ4425EY-T1_GE3
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Carrete: 2.500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

18 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

6.8 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified

SQ4949EY-T1_GE3
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Carrete: 2.500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

30 V

7.5 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified

SQ1431EH-T1_GE3
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SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

1 Channel

30 V

3 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6.5 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ2303ES-T1_GE3
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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2.5 A

170 mOhms

- 10 V, 10 V

2.5 V

4.5 nC

- 55 C

+ 175 C

1.9 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30V

SQ4431EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
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Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

10.8 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

SQ Automotive Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
780 mA
800 mA
840 mA
850 mA
1.6 A
1.7 A
2 A
2.2 A
2.3 A
2.5 A
2.8 A
3 A
3.2 A
3.57 A, 2.5 A
3.9 A
4.1 A
4.3 A
4.4 A
4.6 A

3.1 mOhms
3.6 mOhms
3.8 mOhms
5.1 mOhms
6.3 mOhms
7 mOhms
9 mOhms
10 mOhms
12.3 mOhms
13 mOhms
13.5 mOhms
14 mOhms
16.5 mOhms
20 mOhms, 20 mOhms
21 mOhms
21 mOhms, 56 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
24 mOhms
25 mOhms

700 pC
930 pC, 1 nC
1.15 nC
1.2 nC
1.25 nC
1.4 nC, 1.6 nC
2.3 nC
2.5 nC
2.5 nC, 3.5 nC
3.1 nC
3.4 nC
3.5 nC
3.6 nC
4.1 nC
4.5 nC
4.95 nC
5 nC
5.2 nC
5.4 nC
5.5 nC

430 mW
1.5 W
1.67 W
1.9 W
2 W
2.5 W
2.7 W
3 W
3.3 W
3.6 W
3.75 W
3.9 W
4 W
4.4 W
5 W
6 W
6.8 W
7 W
7.1 W
7.14 W